TRANSISTOR do transistor do Mosfet do poder do módulo do mosfet do poder STD4NK60ZT4 | MOSFET | N-CANAL | TO-252AA
Number modelo:STD4NK60ZT4
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:8700pcs
Prazo de entrega:1 dia
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Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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STP4NK60Z - STP4NK60ZFP
STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1
N-CANAL 600V - 1.76Ω - 4A TO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK
MOSFET Zener-protegido de SuperMESHTMPower
■Ω 1,76 TÍPICO do RDS (sobre) =
■CAPACIDADE EXTREMAMENTE ALTA de dv/dt
■A AVALANCHA 100% TESTOU
■A CARGA DA PORTA MINIMIZOU
■BAIXAS CAPACIDADES INTRÍNSECAS MESMAS
■BOM REPEATIBILITY DE FABRICAÇO MESMO
DESCRIÇO
A série de SuperMESHTM é obtida com uma otimizaço extrema de
disposiço stripbased bem conhecida do PowerMESHTM do ST. Além do
que abaixar a em-resistência significativamente, especial é tomado
para assegurar uma capacidade muito boa de dv/dt para as aplicações
de exigência. Tal série complementa a série completa do ST dos
MOSFETs de alta tenso que incluem produtos revolucionários de
MDmeshTM.
APLICAÇÕES
■CORRENTE ALTA, INTERRUPTOR DE ALTA VELOCIDADE
■IDEAL PARA FONTES DE ALIMENTAÇO, ADAPTADORES E PFC AUTÔNOMOS
■ILUMINAÇO
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS
| Símbolo | Parmetro | Valor | Unidade | ||
| STP4NK60Z STB4NK60Z | STP4NK60ZFP | STD4NK60Z STD4NK60Z-1 | |||
| VDS | tenso da Dreno-fonte (VGS = 0) | 600 | V | ||
| VDGR | tenso da Dreno-porta (RGS = kΩ 20) | 600 | V | ||
| VGS | Tenso de fonte de porta | ± 30 | V | ||
| Identificaço | Drene atual (contínuo) em TC = 25°C | 4 | 4 (*) | 4 | |
| Identificaço | Drene atual (contínuo) em TC = 100°C | 2,5 | 2,5 (*) | 2,5 | |
| IDM (l) | Corrente do dreno (pulsada) | 16 | 16 (*) | 16 | |
| PTOT | Dissipaço total em TC = 25°C | 70 | 25 | 70 | W |
| Derating o fator | 0,56 | 0,2 | 0,56 | W/°C | |
| VESD (G-S) | Fonte ESD da porta (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) | 3000 | V | ||
| dv/dt (1) | Inclinaço máxima da tenso da recuperaço do diodo | 4,5 | V/ns | ||
| VISO | A isolaço suporta a tenso (a C.C.) | - | 2500 | - | V |
Tj Tstg | Temperatura de junço de funcionamento Temperatura de armazenamento | -55 a 150 -55 a 150 | °C °C | ||
(l) largura de pulso limitada pela área de funcionamento seguro
(1) ISD ≤4A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V de VDD (BR) DSS, ≤ TJMAX de Tj.
(*) limitou somente pela temperatura máxima reservada
Oferta conservada em estoque (venda quente)
| Número da peça. | Q'ty | MFG | D/C | Pacote |
| LMV931MG | 3299 | NSC | 15+ | SC70-5 |
| MC33887VM | 3328 | MC | 16+ | HSOP |
| OPA277PA | 7240 | SI | 15+ | MERGULHO |
| LT1114S14#TR | 5182 | LT | 10+ | SOP-14 |
| MC44BS373CADR2 | 3544 | FREESCALE | 10+ | CONCESSO |
| MAX5024LASA+ | 14550 | MÁXIMA | 16+ | CONCESSO |
| LNBH23LQTR | 1272 | ST | 14+ | QFN-32 |
| 88E6185-A2-LKJ1C000 | 1211 | MARVELL | 15+ | QFP |
| LM348MX | 6789 | NSC | 13+ | SOP-14 |
| AZ1084CD-ADJTRG1 | 1500 | BCD | 13+ | TO-252 |
| LP3990MFX-3.3 | 4682 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
| PIC16F616T-I/ML | 5163 | MICROCHIP | 16+ | QFN |
| AAT4280IGU-1-T1 | 4000 | ANALOGIC | 15+ | SOT23 |
| PAM3116BLBADJR | 10800 | PAM | 16+ | CONCESSO |
| L1117LG | 10000 | NIKOS | 15+ | SOT-223 |
| MMBFJ310LT1G | 10000 | EM | 16+ | SOT-23 |
| LMV824MX/NOPB | 4163 | NSC | 14+ | SOP-14 |
| MAX-7Q-0-000 | 7492 | MÁXIMA | 14+ | GPS |
| LM2907MX-8 | 1000 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| OM8744HN | 5740 | 16+ | QFN | |
| PIC16F1939-I/PT | 5223 | MICROCHIP | 16+ | QFP |
TRANSISTOR do transistor do Mosfet do poder do módulo do mosfet do poder STD4NK60ZT4 | MOSFET | N-CANAL | TO-252AA
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