Procurar um caminho mais curto transistor Autoprotected VND3NV0413TR do Mosfet do poder
Number modelo:VND3NV0413TR
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:5200PCS
Prazo de entrega:1 dia
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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No 48 Horas
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Procurar um caminho mais curto transistor Autoprotected VND3NV0413TR do Mosfet do poder
Características
| Tipo | RDS (sobre) | Ilim | Vclamp |
VNN3NV04 VNS3NV04 VND3NV04 VND3NV04-1 | mΩ 120 | 3,5 A | 40 V |
■Limitaço atual linear
■Parada programada térmica
■Procurar um caminho mais curto a proteço
■Braçadeira integrada
■Baixa corrente seleccionada do pino da entrada
■Feedback diagnóstico através do pino da entrada
■Proteço do ESD
■De acesso direto porta do MOSFET do poder (conduço do analógico)
■Compatível com o MOSFET padro do poder em conformidade com. - a diretriz orientadora 2002/95/E europeia
Descriço
Os VNN3NV04, VNS3NV04, VND3NV04 VND3NV04-1, so dispositivos monolíticos projetados na tecnologia de STMicroelectronics VIPower M0-3, pretendida para a substituiço de MOSFETs padro do poder da C.C. aplicações de até 50 quilohertz. Construído na parada programada térmica, na limitaço atual linear e na braçadeira da sobretenso para proteger a microplaqueta em ambientes ásperos.
O feedback da falha pode ser detectado monitorando a tenso no pino da entrada.
Sumário do dispositivo
| Pacote | Códigos de ordem | |||
| Tubo | Tubo (sem chumbo) | Fita e carretel | Grave e bobine (sem chumbo) | |
| SOT-223 | VNN3NV04 | - | VNN3NV0413TR | - |
| SO-8 | VNS3NV04 | - | VNS3NV0413TR | - |
| TO-252 | VND3NV04 | VND3NV04-E | VND3NV0413TR | VND3NV04TR-E |
Diagrama de bloco e descriço do pino
Procurar um caminho mais curto transistor Autoprotected VND3NV0413TR do Mosfet do poder
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