Transistor do Mosfet do poder de HEXFET, módulo IRF7329TRPBF do mosfet do poder

Number modelo:IRF7329
Lugar de origem:Tailândia
Quantidade de ordem mínima:5pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:290PCS
Prazo de entrega:1 dia
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço: Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Transistor do Mosfet do poder de HEXFET, módulo IRF7329 do mosfet do poder


? Tecnologia da trincheira?


Em-resistência ultra baixa


? MOSFET duplo do P-canal

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Perfil baixo (<1>


Disponível na fita & no carretel?

Sem chumbo


Descriço


Os MOSFETs novos do poder do P-canal HEXFET® do retificador internacional utilizam técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET so conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações. O SO-8 foi alterado através de um leadframe personalizado para características aumentadas e a capacidade térmicas do múltiplo-dado que faz o ideal em uma variedade de aplicações do poder. Com estas melhorias, os dispositivos múltiplos podem ser usados em uma aplicaço com espaço dramaticamente reduzido da placa. O pacote é projetado para a fase de vapor, o infravermelho, ou a técnica de solda da onda


ParmetroMáximo.Unidades
VDSTenso da fonte do dreno-12V
Identificaço @ TA = 25°CCorrente contínua do dreno, VGS @ -4.5V-9,2
Identificaço @ TA= 70°CCorrente contínua do dreno, VGS @ -4.5V -7,4-7,4
IDMCorrente pulsada do dreno?-37
Paládio @TA = 25°CDissipaço de poder?2,0W
Paládio @TA = 70°CDissipaço de poder?1,3
Fator Derating linear16mW/°C
VGSTenso da Porta--fonte± 8,0V
TJ, TSTGVariaço da temperatura da junço e do armazenamento-55 + a 150°C
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Transistor do Mosfet do poder de HEXFET, módulo IRF7329TRPBF do mosfet do poder

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