A saída dobro dos transistor do transistor do Mosfet do poder de NPN trava 3-State 74AHCT595PW, 118
Number modelo:74AHCT595
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:50pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:9000 unidades
Prazo de entrega:1 dia
Contate
Add to Cart
Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Fornecedor do último login vezes:
No 48 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
1. Descriço geral
O 74AHC595; 74AHCT595 so dispositivos de alta velocidade do CMOS da Si-porta e so pino
compatível com baixa potência Schottky TTL (LSTTL). So especificados em conformidade com
No. padro 7A de JEDEC.
O 74AHC595; 74AHCT595 so 8 registros de deslocamento de série da fase com um registro de armazenamento e
saídas 3-state. Os registros têm pulsos de disparo separados.
Os dados so deslocados nas transições positivo-indo da entrada de pulso de disparo do registro de deslocamento (SHCP).
Os dados em cada registro so transferidos ao registro de armazenamento em positivo-ir
transiço da entrada de pulso de disparo do registro de armazenamento (STCP). Se ambos os pulsos de disparo so conectados junto,
o registro de deslocamento será sempre um impulso de relógio antes do registro de armazenamento.
O registro de deslocamento tem uma entrada de série (DS) e uma saída padro de série (Q7S) para conectar.
Igualmente fornece-se com a restauraço assíncrona (PONTO BAIXO ativo) para todas as 8 fases do registro de deslocamento.
o registro de armazenamento tem 8 3 saídas paralelas do condutor de ônibus do estado. Dados no registro de armazenamento
parece na saída sempre que a saída permite a entrada (OE) é BAIXA
2. Características
■Atrasos de propagaço equilibrados
■Todas as entradas têm a aço do Schmitt-disparador
■As entradas aceitam tensões mais altamente de VCC
■Níveis entrados:
◆O 74AHC595 opera-se com níveis de entrada do CMOS
◆O 74AHCT595 opera-se com níveis de entrada de TTL
■Proteço do ESD:
◆HBM JESD22-A114E excede 2000 V
◆O milímetro JESD22-A115-A excede 200 V
◆CDM JESD22-C101C excede 1000 V
■Opções múltiplas do pacote
■Especificado do °C −40 ao °C +85 e do °C −40 ao °C +125
3. Aplicações
■converso de dados De série--paralela
■Registro guardando de controle remoto
4. Informaço pedindo
| Tipo número | Pacote | |||
| Variaço da temperatura | Nome | Descriço | Verso | |
| 74AHC595 | ||||
| 74AHC595D | °C −40 ao °C +125 | SO16 | pacote pequeno plástico do esboço; 16 ligações; corpo largura 3,9 milímetros | SOT109-1 |
| 74AHC595PW | °C −40 ao °C +125 | TSSOP16 | pacote pequeno do esboço do psiquiatra fino plástico; 16 ligações; largura do corpo 4,4 milímetros | SOT403-1 |
| 74AHC595BQ | °C −40 ao °C +125 | DHVQFN16 | a em-linha dupla plástica térmico compatível aumentou o pacote liso do quadrilátero muito fino; nenhumas ligações; 16 terminais; × 3,5 ×0.85mm do corpo 2,5 | SOT763-1 |
5. Diagrama funcional
A saída dobro dos transistor do transistor do Mosfet do poder de NPN trava 3-State 74AHCT595PW, 118
Inquiry Cart
0