Baixa resistência térmica 100 MOSFETs CSD19533Q5A do poder de NexFET do N-canal de V

CARACTERÍSTICAS

• Ultra-baixos Qg e Qgd

• Baixa resistência térmica

• Avalancha avaliada

• Chapeamento terminal Pb-livre

• RoHS complacente

• Halogênio livre

• FILHO 5 milímetros de × pacote plástico de 6 milímetros

APLICAÇÕES

• Telecomunicações laterais preliminares

• Retificador síncrono lateral secundário

• Controlo do motor

DESCRIÇO

Este 100 V, 7,8 mΩ, FILHO 5 milímetro x 6 milímetros NexFET™

o MOSFET do poder é projetado minimizar dentro perdas

aplicações da converso de poder.

Informaço da fita e do carretel de Q5A

Notas:

1. tolerncia cumulativa ±0.2 do furo-passo 10-sprocket

2. Curve para no exceder 1 milímetro em 100 milímetros, mais de 250 milímetros noncumulative

3. Material: poliestireno estático-dissipative preto

4. Todas as dimensões esto no milímetro (salvo disposiço em contrário)

5. A0 e B0 mediram em um plano 0,3 milímetros acima da parte inferior do bolso

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