Interruptor rápido da pegada ultra baixa do MOSFET SOT-23 do P-canal do MOSFET do poder da Em-resistência HEXFET IRLML6402TRPBF

Number modelo:IRLML6402TRPBF
Lugar de origem:original
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:5200PCS
Prazo de entrega:1 dia
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Shenzhen China
Endereço: Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Detalhes do produto

?????? HEXFET? MOSFET T do poder


* Em-resistência ultra baixa

* MOSFET do P-canal


* pegada SOT-23

* perfil baixo (<1>

* disponível na fita e no carretel

* interruptor rápido?????


Estes MOSFETs do P-canal do retificador internacional utilizam técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - o baixo onresistance pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutaço rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET® so conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso na gesto da bateria e da carga.


Um grande leadframe termicamente aumentado da almofada foi incorporado no pacote SOT-23 padro para produzir um MOSFET do poder de HEXFET com a pegada a menor da indústria. Este pacote, dublou o Micro3™, é ideal para as aplicações onde o espaço da placa de circuito impresso está em um prêmio. O perfil baixo (<1>

ParmetroMáximo.Unidades
VDSTenso da fonte do dreno-20V
Identificaço @ TA = 25°CCorrente contínua do dreno, VGS @ -4.5V-3,7
Identificaço @ TA= 70°CCorrente contínua do dreno, VGS @ -4.5V-2,2
IDMCorrente pulsada do dreno?-22
Paládio @TA = 25°CDissipaço de poder1,3W
Paládio @TA = 70°CDissipaço de poder0,8
Fator Derating linear0,01W/°C
EASÚnica energia da avalancha do pulso?11mJ
VGSTenso da Porta--fonte± 12V

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Interruptor rápido da pegada ultra baixa do MOSFET SOT-23 do P-canal do MOSFET do poder da Em-resistência HEXFET IRLML6402TRPBF

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