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Eletrônica componente de IC da microplaqueta do transistor de Electrnocs do diodo de IPD60R380C6 Recitifier
Transistor de efeito de campo do semicondutor de óxido de metal do MOSFET
CARACTERÍSTICAS
• Extremamente - baixas perdas devido a baixo FOM mesmo Rdson*Qg e
Eoss
• Aspereza muito alta da comutaço • Fácil de usar/movimentaço
• JEDEC1) qualificou, chapeamento Pb-livre, halogênio free2)
Descrições
transistor de poder IPD60R380C6 do pino 3 600V CoolMOS™ C6 da fonte do pino 1 da porta do pino 2 do dreno, IPI60R380C6 IPB60R380C6, Rev. 2,0 da folha 2 de IPP60R380C6 IPA60R380C6 FinalData, 2009-08-27
1 descriço CoolMOS™ é uma tecnologia revolucionária para MOSFETs de alta tenso do poder, projetada de acordo com o princípio do superjunction (SJ) e aberta caminho por tecnologias.
A série de CoolMOS™ C6 combina a experiência do fornecedor principal do MOSFET de SJ com a inovaço alta da classe. Os dispositivos resultantes para fornecer todos os benefícios de um MOSFET rápido do interruptor SJ ao no sacrificar a acessibilidade.
Extremamente - as baixas perdas do interruptor e da conduço fazem aplicações de comutaço ainda mais eficientes, mais compactos, isqueiro, e refrigerador.
Aplicações
Fases de PFC, fases duramente de comutaço de PWM e fases ressonantes do interruptor PWM para por exemplo o PC Silverbox, adaptador, tevê do LCD & do PDP, iluminaço, servidor, telecomunicações, UPS e solar.
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (1)
VDS @ Tj, 650 V máximos RDS (sobre), 0,38 máximo Qg, tipo 32 identificaço do nC, pulso 30 A ΜJ 400V 2,8 de Eoss @ Diodo di/dt 500 A/µs do corpo |
| TRANSPORTE BC847BLT1 | 18000 | EM | CHINA |
| RC0805JR-0710KL | 35000 | YAGEO | CHINA |
| RC0805JR-071KL | 20000 | YAGEO | CHINA |
| DIODO DF06S | 3000 | SETEMBRO | CHINA |
| TAMPO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | 20000 | TDK | JAPO |
| DIODO US1A-13-F | 50000 | DIODOS | MALÁSIA |
| INDUTOR. 100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | TDK | JAPO |
| RES 470R 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CHINA |
| RES 1206 2M 1% RC1206FR-072ML | 500000 | YAGEO | CHINA |
| DIODO P6KE180A | 10000 | VISHAY | MALÁSIA |
| RES 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CHINA |
| MUNIÇO DE DIODO UF4007 | 500000 | MIC | CHINA |
| Transporte. ZXMN10A09KTC | 20000 | ZETEX | TAIWAN |
| RES 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L | 500000 | YAGEO | CHINA |
| ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 | 10000 | LITE-ON | TAIWAN |
| TRANSPORTE MMBT2907A-7-F | 30000 | DIODOS | MALÁSIA |
| TRANSPORTE STGW20NC60VD | 1000 | ST | MALÁSIA |
| C.I LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | SI | TAILNDIA |
| C.I MC33298DW | 1000 | MOT | MALÁSIA |
| C.I MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | MALÁSIA |
| C.I P8255A5 | 4500 | INTEL | JAPO |
| C.I HM6116P-2 | 5000 | HITACHI | JAPO |
| C.I DS1230Y- 150 | 2400 | DALLAS | FILIPINAS |
| Transporte. ZXMN10A09KTC | 18000 | ZETEX | TAIWAN |
| TRIAC BT151-500R | 500000 | MARROCOS | |
| C.I HCNR200-000E | 1000 | AVAGO | TAIWAN |
| TRIAC TIC116M | 10000 | SI | TAILNDIA |
| DIODO US1M-E3/61T | 18000 | VISHAY | MALÁSIA |
| DIODO ES1D-E3-61T | 18000 | VISHAY | MALÁSIA |
| C.I MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | TAIWAN |
| C.I CD40106BE | 250 | SI | TAILNDIA |
| ACOPLADOR PC733H | 1000 | AFIADO | JAPO |
| TRANSPORTE NDT452AP | 5200 | FSC | MALÁSIA |
| CI LP2951-50DR | 1200 | SI | TAILNDIA |
| CI MC7809CD2TR4G | 1200 | EM | MALÁSIA |
| DIODO MBR20200CTG | 22000 | EM | MALÁSIA |
| FUSIVEL 30R300UU | 10000 | LITTELFUSEI | TAIWAN |
| C.I TPIC6595N | 10000 | SI | TAILNDIA |
| EPM7064STC44-10N | 100 | ALTERA | MALÁSIA |
| DIODO 1N4004-T | 5000000 | MIC | CHINA |
| C.I CD4060BM | 500 | SI | TAILNDIA |
| ACOPLADOR MOC3020M | 500 | FSC | MALÁSIA |
| DIODO W08 | 500 | SETEMBRO | CHINA |
| C.I SN74HC373N | 1000 | SI | FILIPINAS |
| FOTOSENSOR 2SS52M | 500 | honeywell | JAPO |
| C.I SN74HC02N | 1000 | SI | TAILNDIA |
| C.I CD4585BE | 250 | SI | TAILNDIA |
| C.I MT46H32M16LFBF-6IT: C | 40 | MÍCRON | MALÁSIA |
| DIODO MMSZ5242BT1G | 30000 | EM | MALÁSIA |