O transistor do Mosfet do poder de MGW12N120D isolou o transistor bipolar da porta com diodo antiparalelo
Number modelo:MGW12N120D
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:8400pcs
Prazo de entrega:1 dia
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Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Transistor bipolar isolado da porta com diodo antiparalelo
Porta de silicone do Realce-modo do N-canal
IGBT & DIODO EM TO-247
12 A @ 90°C
20 A @ 25°C
1200 VOLTS
PROCURAR UM CAMINHO MAIS CURTO AVALIADO
Este transistor bipolar isolado da porta (IGBT) co-é empacotado com
um retificador ultrarrápido da recuperaço macia e usa um esquema da
terminaço avançada para fornecer uma capacidade deobstruço alta
aumentada e segura. Short-circuit avaliou IGBT é serido
especificamente para as aplicações que exigem garantido procura um
caminho mais curto para suportar o tempo tal como movimentações do
controlo do motor. As características de comutaço rápidas conduzem
operaço eficiente em altas frequências. o espaço das economias de
IGBT Co-empacotado, reduz o tempo do conjunto e o custo.
• Pacote do poder superior TO-247 do padro do setor com furo de
montagem isolado
• Eoff de alta velocidade: 150? J/A típico em 125°C
• Procurar um caminho mais curto altamente a capacidade – 10?
mínimo de s
• O diodo de roda livre da recuperaço macia é incluído no pacote
• Terminaço de alta tenso robusta
• RBSOA robusto
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (TJ = 25°C salvo disposiço em contrário)
| Avaliaço | Símbolo | Valor | Unidade |
| Tenso do Coletor-emissor | VCES | 1200 | VDC |
| Tenso da Coletor-porta (RGE = 1,0 MΩ) | VCGR | 1200 | VDC |
| Tenso do Porta-emissor — Contínuo | VGE | ± 20 | VDC |
Corrente de coletor — Contínuo @ TC = 25°C — Contínuo @ TC = 90°C — (1) atual pulsado repetitivo | IC25 IC90 ICM | 20 12 40 | VDC Apk |
Dissipaço de poder total @ TC = 25°C Derate acima de 25°C | Paládio | 125 0,98 | Watts W/°C |
| Variaço da temperatura da junço do funcionamento e do armazenamento | TJ, Tstg | – 55 a 150 | °C |
Procurar um caminho mais curto para suportar o tempo (VCC = 720 VDC, VGE = 15 VDC, TJ = 125°C, RG = Ω 20) | CST | 10 | ? μs |
Resistência térmica — Junço para encaixotar – IGBT — Junço para encaixotar – o diodo — Junço a ambiental | RθJC RθJC RθJA | 1,0 1,4 45 | °C/W |
| Temperatura máxima para finalidades de solda, 1/8 de ″ da ligaço do argumento por 5 segundos | TL | 260 | °C |
| Montando o torque, o 6-32 ou o parafuso M3 | lbf* 10? em (N 1,13? *m) | ||
(1) a largura de pulso é limitada pela temperatura de junço máxima.
Avaliaço repetitiva.
DIMENSÕES DO PACOTE
Oferta conservada em estoque (venda quente)
| Número da peça. | Q'ty | MFG | D/C | Pacote |
| L9616D | 3785 | ST | 15+ | SOP8 |
| LM7818CT | 7181 | NSC | 14+ | TO-220 |
| 2MBI100N-060 | 418 | FUJI | 12+ | MÓDULO |
| PMBS3904 | 60000 | 14+ | SOT-23 | |
| MT41K128M16JT-125: K | 7044 | MÍCRON | 14+ | BGA |
| P80C31BH-1 | 9620 | INTEL | 16+ | MERGULHO |
| LXT906PC | 4933 | LEVELONE | 16+ | PLCC |
| LTC3440EMS | 6740 | LT | 16+ | MSOP |
| MAX3232EIPWR | 11650 | SI | 14+ | TSSOP |
| BTA24-600BW | 10000 | ST | 15+ | TO-220 |
| MSP430G2231IPW14R | 6841 | SI | 16+ | TSSOP |
| MJF15031G | 86000 | EM | 16+ | TO-220 |
| MC7805ABD2TR4G | 4072 | EM | 14+ | TO-263 |
| MCP73871-2CCI/ML | 5626 | MICROCHIP | 16+ | QFN |
| MCP1702-5002E/TO | 5050 | MICROCHIP | 16+ | TO-92 |
| NCT3941S-A | 14560 | NUVOTON | 11+ | SOP-8 |
| LM308H | 500 | NSC | 11+ | CAN-8 |
| M27256-2F1 | 4179 | ST | 16+ | MERGULHO |
| LM75AD | 5432 | 14+ | SOP-8 | |
| MAX6369KA+T | 4625 | MÁXIMA | 14+ | ÉBRIO |
| PIC16F76T-I/SO | 4988 | MICROCHIP | 14+ | CONCESSO |
O transistor do Mosfet do poder de MGW12N120D isolou o transistor bipolar da porta com diodo antiparalelo
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