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HEXFET? MOSFET do poder
| VDSS | RDS (sobre) máximo | Identificaço |
| 200V | 0.082Ω | 31A |
Aplicações
Benefícios
Avaliações máximas absolutas
| Parmetro | Máximo. | Unidade | |
| Identificaço @ TC = 25°C | Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V | 31 | |
| Identificaço @ TC = 100°C | Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V | 21 | |
| IDM | Pulsado drene o atual | 124 | |
| Paládio @TA = 25°C | Dissipaço de poder | 3,1 | W |
| Paládio @TC = 25°C | Dissipaço de poder | 200 | W |
| Fator Derating linear | 1,3 | W/°C | |
| VGS | Tenso da Porta--fonte | ± 30 | V |
| dv/dt | máximo da recuperaço dv/dt do diodo | 2,1 | V/ns |
TJ TSTG | Junço de funcionamento e Variaço da temperatura do armazenamento | -55 + a 175 | °C |
| Temperatura de solda, por 10 segundos | 300 (1.6mm do caso) | °C | |
| Montando o torque, o 6-32 ou o srew M3 | 10 lbf•em (1.1N•m) |
Oferta conservada em estoque (venda quente)
| Número da peça. | Q'ty | MFG | D/C | Pacote |
| MAX1636EAP-T | 6200 | MÁXIMA | 10+ | SSOP |
| MAC8M | 9873 | EM | 10+ | TO-220 |
| MJD117-1G | 8000 | EM | 14+ | TO-263 |
| MAX1683EUK+T | 6350 | MÁXIMA | 16+ | ÉBRIO |
| L3G4200D | 2729 | ST | 15+ | LGA16 |
| PTN78020AAH | 400 | SI | 15+ | MERGULHO |
| MAX4214EUK+T | 5968 | MÁXIMA | 10+ | ÉBRIO |
| MX25L12873FM2I-10G | 4500 | MXIC | 15+ | CONCESSO |
| ATTINY10-TSHR | 3000 | ATMEL | 15+ | SOT23 |
| PTN78060WAD | 980 | SI | 15+ | MERGULHO |
| PIC18F2520-I/SO | 4598 | MICROCHIP | 15+ | CONCESSO |
| MC33269DR2-5.0 | 4554 | EM | 15+ | CONCESSO |
| MCP3421AOT-E/CH | 5302 | MICROCHIP | 16+ | ÉBRIO |
| MMBFJ108 | 10000 | FAIRCHILD | 16+ | SOT-23 |
| PIC18F8520-I/PT | 4273 | MICROCHIP | 14+ | TQFP |
| PIC18F4550-I/PT | 4438 | MICROCHIP | 14+ | QFP |
| MC68HC908QY4CPE | 3832 | FREESCALE | 14+ | MERGULHO |
| ZTX751 | 16060 | ZETEX | 11+ | TO-92 |
| MC9S12C64MFAE | 4732 | FREESCALE | 14+ | QFP |
| ZTX651 | 29000 | ZETEX | 11+ | TO-92 |
| LTC1650AIS | 2802 | LINEAR | 11+ | CONCESSO |