Placa de circuito Chips Electronic Component dos diodos de Zener do poder do silicone 1N5358B
Number modelo:SST25VF016B-50-4I-S2AF
Lugar de origem:original
Quantidade de ordem mínima:5 PCS
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:10000PCS/DAY
Prazo de entrega:1 dia
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Diodos do Silicone-poder-Zener 1N5358B
Diodos do Silicone-poder-Zener (tecnologia no-planar)
Silizium-Leistungs-Zener-Dioden (flächendiffundierte Dioden)
Dissipaço de poder máxima Maximale Verlustleistung Z-tenso nominal
Nominale Z-Spannung
Capa de plástico Kunststoffgehäuse Peso aproximadamente Gewicht CA
O material plástico tem a classificaço 94V-0 do UL
Klassifiziert de Gehäusematerial UL94V-0 Empacotamento padro
gravado no bloco da muniço Gegurtet padro de Lieferform no
Muniço-bloco
A tolerncia padro da tenso de Zener é ±5%). Outras tolerncias da
tenso e mais altas tensões de Zener a pedido.
Morrem as ISTs de Zener-Spannung do der de Toleranz no
padro-Ausfhrung ±5% do der. Höhere de Andere Toleranzen oder
Auf Anfrage de Arbeitsspannungen.
Dissipaço de poder Verlustleistung | Ptot | 5 W 1) |
Dissipaço de poder máximo no repetitiva, t < 10="" ms=""> Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10="" ms=""> | PZSM | 80 W |
Temperatura de junço de funcionamento – Sperrschichttemperatur Temperatura de armazenamento – Lagerungstemperatur | Tj TS | -50… +150°C -50… +175°C |
Junço da resistência térmica ao ar ambiental Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft | RthA | < 25="" K=""> |
Junço da resistência térmica ao terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss | RthL | <8 K=""> |
Placa de circuito Chips Electronic Component dos diodos de Zener do poder do silicone 1N5358B
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