Os circuitos integrados CI de MC33262DR2G, circuitos integrados põem controladores do fator

Number modelo:MC33262DR2G
Lugar de origem:original
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:5200PCS
Prazo de entrega:1 dia
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Shenzhen China
Endereço: Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Os circuitos integrados CI de MC33262DR2G, circuitos integrados põem controladores do fator


Características


• O comparador da sobretenso elimina a tenso da saída do fugitivo

• Temporizador interno da partida

• Um multiplicador do quadrante

• Detector atual zero

• Referência interna aparada de 2% Bandgap

• Saída do totem com a braçadeira alta do estado

• Fechamento do Undervoltage com 6,0 V da histerese

• Baixa corrente da partida e de funcionamento

• Substitui a funcionalidade de SG3561 e de TDA4817

• Os pacotes de Pb−Free esto disponíveis


Os MC34262/MC33262 so controladores do fator de poder ativo projetados especificamente para o uso como um preconverter no reator eletrônico e em aplicações do conversor de poder do off−line. Estes circuitos integrados caracterizam um temporizador interno para aplicações do stand−alone, um multiplicador da partida de um quadrante para o fator de poder próximo da unidade, detector atual zero para assegurar a operaço crítica da conduço, amplificador do erro da transcondutncia, circuito do quickstart para a partida aumentada, apararam a referência interna do bandgap, o comparador de detecço atual, e uma saída do totem serida idealmente conduzindo um MOSFET do poder.


Igualmente so incluídas as características protetoras que consistem em um comparador da sobretenso para eliminar a tenso da saída do fugitivo devido remoço da carga, fechamento do undervoltage da entrada com histerese, limitaço atual do cycle−by−cycle, a braçadeira da saída do multiplicador que limita a corrente máxima máxima do interruptor, uma trava de RS para o único pulso que mede, e uma braçadeira alta do estado da saída da movimentaço para a proteço da porta do MOSFET. Estes dispositivos esto disponíveis em pacotes plásticos da montagem do dual−in−line e da superfície.


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