Diodos IC Chip BAS 85.135 da eletrônica do diodo de barreira de Schottky

Diodos IC Chip BAS 85 da eletrônica do diodo de barreira de Schottky

Diodo de barreira de BAS85 Schottky

CARACTERÍSTICAS

• Baixa tenso dianteira

• Alta tenso da diviso

• Anel de protetor protegido

• Pacote pequeno selado hermeticamente de SMD.

DESCRIÇO

Diodo de barreira planar de Schottky com um anel integrado da proteço contra descargas estáticas. Este diodo montado de superfície é encapsulado em um pacote de vidro selado hermeticamente de SOD80C SMD com os discos estanhados do metal em cada extremidade. É apropriado para “a colocaço automática” e como esta'n pode suportar a solda da imerso.

APLICAÇÕES

• Interruptor ultra de alta velocidade

• Aperto da tenso

• Circuitos de proteço

• Obstruindo diodos.

CONDIÇÕES DO PARMETRO DO SÍMBOLO

− MÁXIMO MÍNIMO 30 V da tenso reversa contínua da UNIDADE VR

SE − atual dianteiro contínuo 200 miliampères

SE média (avoirdupois) para a frente atual VRWM = 25 V; a = 1,57; δ = 0,5;

nota 1; Fig.2 do − 200 do miliampère IFRM do pico ≤ atual repetitivo 1 s do tp para a frente; − do ≤ 0,5 do δ 300 miliampères mim

Pico no-repetitivo do FSM para a frente atual tp = − 5 A de 10 Senhoras

°C da temperatura de armazenamento −65 de Tstg +150

°C do − 125 da temperatura de junço de Tj

Tamb que opera o °C da temperatura ambiental −65 +125

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