

Add to Cart
Computador Chip Board do circuito do Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench do canal de N
estoque original dos componentes eletrônicos de PowerTrench FDS6676AS do N-canal 30V
Descriço geral
O FDS6676AS é projetado substituir um únicos MOSFET SO-8 e diodo de Schottky em síncrono
C.C.: Fontes de alimentaço de DC. Este MOSFET 30V é projetado maximizar a eficiência de converso do poder, fornecendo um baixo RDS (SOBRE) e a baixa carga da porta. O FDS6676AS inclui um diodo integrado de Schottky usando a tecnologia monolítica do SyncFET de Fairchild.
Aplicações
• Conversor de DC/DC
• Baixo caderno lateral
Características
• A 14,5, 30 mΩ do max= 6,0 do V. RDS (SOBRE) @ VGS = 10 mΩ do max= 7,25 de V RDS (SOBRE) @ VGS = 4,5 V
• Inclui o diodo do corpo de SyncFET Schottky
• Baixa carga da porta (45nC típicos)
• Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - o baixo RDS (SOBRE) e o interruptor rápido
• Poder superior e capacidade de manipulaço atual
Avaliações máximas absolutas TA=25o C salvo disposiço em contrário
Símbolo | Parmetro | Avaliaço | Unidade |
VDSS | Tenso da Dreno-fonte | 30 | V |
VGSS | Tenso da Porta-fonte | ±20 | V |
Identificaço | Drene atual – contínuo (nota 1a) – Pulsado | 14,5 | |
50 | |||
Paládio | Dissipaço de poder para a única operaço (nota 1a) (Nota 1b) (Nota 1c) | 2,5 | W |
1,5 | |||
1 | |||
TJ, TSTG | Variaço da temperatura da junço do funcionamento e do armazenamento | – 55 a +150 | °C |
Características térmicas
RθJA | Resistência térmica, Junço--ambiental (nota 1a) | 50 | W/°C |
RθJC | Resistência térmica, Junço--caso (nota 1) | 25 |
Marcaço do pacote e informaço pedindo
Marcaço do dispositivo | Dispositivo | Tamanho do carretel | Largura da fita | Quantidade |
FDS6676AS | FDS6676AS | 13" | 12MM | 2500 unidades |
FDS6676AS | FDS6676AS_NL | 13" | 12MM | 2500 unidades |