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DDR3 SDRAM é uma de alta velocidade, memória de acesso aleatório dinmica do CMOS. É configurado internamente como uma GOLE de 8 bancos.
Características
• VDD = VDDQ = +1.5V ±0.075V
• 1.5V centro-terminou o I/O do impulso/traço
• Estroboscópio bidirecional diferencial dos dados
• arquitetura do prefetch 8n-bit
• Entradas de pulso de disparo diferencial (CK, CK#)
• 8 bancos internos
• Terminaço nominal e dinmica do em-dado (ODT) para dados, estroboscópio, e sinais da máscara
• Latência de CAS (LIDO) (CL): 5, 6, 7, 8, 9, 10, ou 11
• Latência ADITIVA AFIXADA de CAS (AL): 0, CL - 1, CL - 2
• Latência de CAS (ESCREVA) (CWL): 5, 6, 7, 8, com base em t CK
• Comprimento estourado fixo (BL) de 8 e de costeleta da exploso (porque) de 4 (através do grupo de registro do modo [SRA.])
• BC4 ou BL8 selecionável on-the-fly (OTF)
• O auto refresca o modo
LISTA CONSERVADA EM ESTOQUE
LM4890MM | 30000 | NSC | 15+ | MSOP-8 |
MHW6342T | 6304 | MOT | 15+ | CATV |
CM450HA-5F | 233 | MITSUBI | 14+ | MÓDULO |
PM200RSD060 | 230 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
PM200RSA060 | 120 | MITSUBISH | 13+ | MOUDLE |
MSM5219BGS-K-7 | 550 | OKI | 14+ | QFP |
PS11003-C | 500 | MITSUBISH | 12+ | MÓDULO |
MB87020PF-G-BND | 3531 | FUJITSU | 14+ | QFP |
MA2820 | 7689 | SHINDENG | 16+ | FECHO DE CORRER |
7MBP150RTB060 | 210 | FUJI | 12+ | MÓDULO |
MBM200HS6B | 629 | HITACHI | 14+ | MÓDULO |
PM25RSK120 | 320 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
QM150DY-H | 150 | MITSUBISH | 13+ | MÓDULO |
PWB130A40 | 120 | SANREX | 14+ | MÓDULO |
LA1185 | 3928 | SANYO | 14+ | SIP9 |
BSM25GP120 | 458 | EUPEC | 15+ | MÓDULO |
LM2750LD-ADJ | 3000 | NSC | 14+ | QFN |
NCN1188MUTAG | 8480 | EM | 16+ | UQFN |
NCN1154MUTAG | 8400 | EM | 16+ | UQFN |
LM2745MTCX | 3000 | NSC | 14+ | TSSOP-14 |
L78L05ABD | 10000 | ST | 15+ | SOP8 |
AT24C08BN-SH | 5000 | ATMEL | 15+ | SOP-8 |
PS21563-P | 500 | MITSUBISH | 12+ | MÓDULO |
BNX003-01 | 2058 | MURATA | 14+ | MERGULHO |
LTC4441IMSE | 6207 | LINEAR | 14+ | MSOP |
PA0173NLT | 7386 | PULSO | 16+ | CONCESSO |