SCR sensíveis do transistor do Mosfet do poder da porta dos TRIAC de S6025L 1-70 ampères de PORTA NÃO-SENSÍVEL

SCR (1 70 A)

Descriço geral

A linha de Teccor de semicondutores do SCR do tiristor é os retificadores de meia onda, unidirecionais, porta-controlados que complementam a linha de Teccor de SCR sensíveis. Teccor oferece dispositivos com avaliações de 1 70 A e 200 V a 1000 V, com sensibilidades da porta de 10 miliampères a 50 miliampères. Se as correntes da porta no µA 12 a 500 escalas do µA so exigidas, veja “a seço dos SCR sensíveis” deste catálogo.

Três pacotes so oferecidos na construço eletricamente isolada onde a caixa ou a aba so isoladas internamente para permitir o uso do conjunto barato e de técnicas de empacotamento convenientes.

A linha de Teccor de SCR caracteriza junções vidro-passivated para assegurar a estabilidade a longo prazo da confiança e do parmetro. O vidro de Teccor oferece uma barreira áspera, segura contra a contaminaço da junço.

As variações dos dispositivos cobertos nesta folha de dados esto disponíveis para projetam aplicações. Consulte a fábrica para mais informaço.

Características

• RoHS complacente

• pacote Elétrico-isolado

• Capacidade de alta tenso — 200 V a 1000 V

• Capacidade de impulso alta — até 950 A

• microplaqueta Vidro-passivated

SCR de Compak

• Pacote de superfície da montagem — 1 um a série

• Pacote três-leaded de Compak do perfil pequeno novo

• Empacotado na fita gravada do portador com 2.500 dispositivos pelo carretel

• Pode substituir SOT-223

Condições de teste específicas

di/dt — Taxa--elevaço máxima da corrente do em-estado; IGT = 150 miliampères com tempo de elevaço dos µs do ≤ 0,1

dv/dt — Taxa crítica de tenso dianteira aplicada

I ²t — Em-estado (no-repetitivo) do impulso do RMS atual para um período da Senhora 8,3 para fundir

IDRM e IRRM — Fora-estado máximo para a frente e para inverter atual em VDRM e em VRRM

Igt — corrente do disparador da porta da C.C.; VD = C.C. de 12 V; RL = Ω 60 para 1 a 16 dispositivos de A e Ω 30 para 20 a 70 dispositivos de A

IGM — Corrente máxima da porta

IH — corrente de terra arrendada da C.C.; porta aberta

A TI — Corrente máxima do em-estado

ITSM — Corrente de impulso dianteiro máxima do um-ciclo

PÁGINA _{(AVOIRDUPOIS)} — Dissipaço de poder média da porta

PGM — Dissipaço de poder máxima da porta

tgt — Tempo de ligaço controlado da porta; pulso de porta = 100 miliampères; largura mínima = 15 µs com µs do ≤ 0,1 do tempo de elevaço

tq — Tempo comutado circuito da volta-fora

VDRM e VRRM — Fora-estado máximo repetitivo para a frente e para inverter a tenso

Vgt — Tenso de disparador da porta da C.C.; VD = C.C. de 12 V; RL = Ω 60 para 1 a 16 dispositivos de A e Ω 30 para 20 a 70 dispositivos de A

VTM — A tenso máxima do em-estado avaliou no máximo a corrente do RMS

Notas gerais

• Todas as medidas so feitas em 60 hertz com uma carga resistive em uma temperatura ambiental do °C +25 salvo disposiço em contrário.

• A variaço da temperatura de funcionamento (TJ) é o °C -65 o °C +125 ao °C para os dispositivos TO-92 e -40 ao °C +125 para todos pacotes restantes.

• A variaço da temperatura do armazenamento (TS) é o °C -65 o °C +150 ao °C para os dispositivos TO-92, -40 ao °C +150 para os dispositivos TO-202 e TO-220, e o °C -40 ao °C +125 para todo o outro.

• A temperatura da solda da ligaço é um máximo do °C 230 por 10 segundos máximo; ≥1/16” (1,59 milímetros) do caso.

• A temperatura de caso (TC) é medida como mostrado em desenhos de esboço dimensionais no “pacote dimensiona” o sectionof este catálogo.

Oferta conservada em estoque (venda quente)

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