MOSFETs do poder do N-canal do transistor do Mosfet do poder dos transistor do mosfet do poder superior RFP70N06
Number modelo:RFP70N06
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:8300pcs
Prazo de entrega:1 dia
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Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06SM
70A, 60V, 0,014 ohms, MOSFETs do poder do N-canal
Estes so MOSFETs do poder do N-canal fabricados usando o processo de MegaFET. Este processo, que usa os tamanhos de característica que aproximam aqueles de circuitos de LSI, dá a utilizaço a melhor do silicone, tendo por resultado o desempenho proeminente. Foram projetados para o uso nas aplicações tais como reguladores de interruptor, conversores de comutaço, motoristas do motor e motoristas do relé. Estes transistor podem ser operados diretamente dos circuitos integrados.
Tipo anteriormente desenvolvente TA49007.
Características
• 70A, 60V
• RDS (sobre) = 0.014Ω
• Modelo compensado temperatura de PSPICE®
• Corrente máxima contra a curva da largura de pulso
• Curva da avaliaço de UIS (único pulso)
• temperatura de funcionamento 175oC
• Literatura relacionada
- TB334 “diretrizes para componentes de superfície de solda da montagem s placas de PC”
Avaliações máximas absolutas TC = 25℃, salvo disposiço em contrário
| PARMETRO | SÍMBOLO | RFG70N06, RFP70N06 RF1S70N06SM | UNIDADES |
| Drene tenso da fonte (nota 1) | VDSS | 60 | V |
| Drene para bloquear a tenso (RGS = 20kΩ) (nota 1) | VDGR | 60 | V |
| Corrente contínua do dreno | Identificaço | 70 | |
| Corrente pulsada do dreno (nota 3) | IDM | Refira a curva da corrente máxima | |
| Porta tenso da fonte | VGS | ±20 | V |
| Única avaliaço da avalancha do pulso | EAS | Refira a curva de UIS | |
| Dissipaço de poder | Paládio | 150 | W |
| Fator Derating linear | 1,0 | W/℃ | |
| Temperatura do funcionamento e de armazenamento | TJ, TSTG | -55 a 175 | ℃ |
Temperatura máxima para soldar Ligações em 0.063in (1.6mm) do argumento para 10s O corpo do pacote para 10s, considera Techbrief 334 | TL Tpkg | 300 260 | ℃ ℃ |
CUIDADO: Os esforços acima daqueles alistados “em avaliações máximas absolutas” podem causar dano permanente ao dispositivo. Esta é uma única avaliaço do esforço e a operaço do dispositivo nestes ou de nenhuma outra condições acima daqueles indicados nas seções operacionais desta especificaço no é implicada.
NOTA: 1. TJ = 25oC a 150℃
Símbolo
Empacotamento
Oferta conservada em estoque (venda quente)
| Número da peça. | Q'ty | MFG | D/C | Pacote |
| LA4440 | 3620 | SANYO | 14+ | SIP-14 |
| LT1512CS8#PBF | 5755 | LINEAR | 15+ | SOP-8 |
| LM75CIMMX-3 | 6880 | NSC | 14+ | MSOP-8 |
| LTC2954CTS8-2#TRMPBF | 6896 | LT | 10+ | ÉBRIO |
| NTE4151PT1G | 38000 | EM | 16+ | SOT-523 |
| CXD2480R | 1277 | SONY | 15+ | QFP |
| A8498SLJTR-T | 3500 | ALLEGRO | 12+ | SOP-8 |
| A4950ELJTR-T | 1000 | ALLEGRO | 13+ | SOP-8 |
| LMX2335LTMX | 2297 | NSC | 14+ | TSSOP-16 |
| NCP1034DR2G | 9200 | EM | 16+ | CONCESSO |
| A3932SLDTR-T | 2042 | ALLEGRO | 15+ | TSSOP38 |
| MM3Z4V7ST1G | 25000 | EM | 16+ | SOD-323 |
| MCP1825S-3302E/DB | 5134 | MICROCHIP | 16+ | SOT-223 |
| MMBZ5257BLT1G | 20000 | EM | 16+ | SOT-23 |
| MBR120ESFT1G | 38000 | EM | 16+ | GRAMA |
| L4931ABD33 | 3851 | ST | 14+ | SOP8 |
| NTE4153NT1G | 30000 | EM | 16+ | SOT-523 |
| MPX5100DP | 6099 | FREESCALE | 15+ | SORVO |
| LMH1980MM/NOPB | 1632 | SI | 15+ | VSSOP-10 |
| PIC18F26K20-I/SS | 4498 | MICROCHIP | 13+ | SSOP |
| LTC3450EUD | 6714 | LINEAR | 15+ | DFN |
MOSFETs do poder do N-canal do transistor do Mosfet do poder dos transistor do mosfet do poder superior RFP70N06
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