Chip de circuito integrado FM24CL64B-GTR Temp automotivo 64Kb Serial 3V F-RAM Memória

FM24CL64B-GTR Automotive Temp.Memória Serial 3V F-RAM de 64Kb

Características

RAM no volátil ferroelétrica de 64K bits

Organizado como 8192 x 8 bits

Leituras/gravações de alta resistência 10 trilhões (1013 )

Gravações NoDelay™

Processo Ferroelétrico Avançado de Alta Confiabilidade

Interface serial rápida de dois fios

Frequência máxima de barramento de até 1 MHz

Substituiço direta de hardware para EEPROM

Suporta temporizaço herdada para 100 kHz e 400 kHz

Baixo consumo de energia

Operaço de baixa tenso 3,0-3,6 V

Corrente de espera de 6 μA (+85°C)

Configuraço padro da indústria

Temperatura automotiva -40C a +125C

Qualificado para a especificaço AEC Q100

Pacote SOIC "Verde"/RoHS de 8 pinos

Descriço

O FM24CL64B é uma memória no volátil de 64 Kbits que emprega um processo ferroelétrico avançado.Uma memória ferroelétrica de acesso aleatório ou F-RAM no é volátil e executa leituras e gravações como uma RAM.Ele fornece retenço de dados confiável por anos enquanto elimina as complexidades, sobrecarga e problemas de confiabilidade no nível do sistema causados ​​por EEPROM e outras memórias no voláteis.O FM24CL64B realiza operações de gravaço na velocidade do barramento.Nenhum atraso de gravaço é incorrido.O próximo ciclo de barramento pode começar imediatamente sem a necessidade de polling de dados.Além disso, o produto oferece ordens de resistência de gravaço de magnitude superior EEPROM.Além disso, a F-RAM exibe uma energia muito menor durante as gravações do que a EEPROM, pois as operações de gravaço no requerem uma tenso de alimentaço elevada internamente para os circuitos de gravaço.Esses recursos tornam o FM24CL64B ideal para aplicativos de memória no volátil que exigem gravações frequentes ou rápidas.Os exemplos vo desde a coleta de dados em que o número de ciclos de gravaço pode ser crítico, até controles industriais exigentes, nos quais o longo tempo de gravaço da EEPROM pode causar perda de dados.A combinaço de recursos permite uma gravaço de dados mais frequente com menos sobrecarga para o sistema.O FM24CL64B oferece benefícios substanciais aos usuários de EEPROM serial, mas esses benefícios esto disponíveis em uma substituiço de hardware.O dispositivo está disponível no pacote SOIC de 8 pinos padro da indústria usando um protocolo familiar de dois fios (I2C).O dispositivo é garantido na faixa de temperatura automotiva de -40°C a +125°C.

Configuraço de pinos

Descriço do pino

Viso geral

O FM24CL64B é uma memória serial F-RAM.A matriz de memória é organizada logicamente como uma matriz de memória de 8.192 x 8 bits e é acessada usando uma interface de dois fios padro da indústria.A operaço funcional da F-RAM é semelhante s EEPROMs seriais.A principal diferença entre o FM24CL64B e uma EEPROM serial com a mesma pinagem está relacionada ao seu desempenho superior de gravaço.

Arquitetura de memória

Ao acessar o FM24CL64B, o usuário endereça 8192 localidades cada uma com 8 bits de dados.Esses bits de dados so deslocados em série.Os endereços 8192 so acessados ​​usando o protocolo de dois fios, que inclui um endereço escravo (para distinguir outros dispositivos sem memória) e um endereço de 2 bytes.Apenas os 13 bits inferiores so usados ​​pelo decodificador para acessar a memória.Os três bits de endereço superiores devem ser definidos como 0 para compatibilidade com dispositivos de maior densidade no futuro.O tempo de acesso para operaço de memória é essencialmente zero além do tempo necessário para o protocolo serial.Ou seja, a memória é lida ou escrita na velocidade do barramento de dois fios.Ao contrário de uma EEPROM, no é necessário consultar o dispositivo para uma condiço de pronto, pois as gravações ocorrem na velocidade do barramento.Ou seja, no momento em que uma nova transaço de barramento puder ser deslocada para a peça, uma operaço de gravaço estará concluída.Isso é explicado com mais detalhes na seço de interface abaixo.Os usuários esperam vários benefícios óbvios do sistema do FM24CL64B devido ao seu rápido ciclo de gravaço e alta resistência em comparaço com o EEPROM.No entanto, também existem benefícios menos óbvios.Por exemplo, em um ambiente de alto ruído, a operaço de gravaço rápida é menos suscetível corrupço do que uma EEPROM, pois é concluída rapidamente.Por outro lado, uma EEPROM que requer milissegundos para escrever é vulnerável a ruído durante grande parte do ciclo.Observe que é responsabilidade do usuário garantir que o VDD esteja dentro das tolerncias da folha de dados para evitar operaço incorreta.

Interface de dois fios

O FM24CL64B emprega um protocolo de barramento bidirecional de dois fios usando poucos pinos ou espaço na placa.A Figura 2 ilustra uma configuraço de sistema típica usando o FM24CL64B em um sistema baseado em microcontrolador.O barramento de dois fios padro da indústria é familiar para muitos usuários, mas é descrito nesta seço.Por convenço, qualquer dispositivo que esteja enviando dados para o barramento é o transmissor, enquanto o dispositivo de destino desses dados é o receptor.O dispositivo que está controlando o barramento é o mestre.O mestre é responsável por gerar o sinal de clock para todas as operações.Qualquer dispositivo no barramento que está sendo controlado é um escravo.O FM24CL64B sempre é um dispositivo escravo.O protocolo de barramento é controlado por estados de transiço nos sinais SDA e SCL.Existem quatro condições, incluindo início, parada, bit de dados ou confirmaço.A Figura 3 ilustra as condições de sinal que especificam os quatro estados.Diagramas de tempo detalhados so mostrados na seço de especificações elétricas.

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