Família de amplificadores operacionais de alimentação única de alta saída e banda larga Tl7757cdr

Number modelo:TL7757CDR
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:3800pcs
Prazo de entrega:1 dia
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Endereço: Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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FAMÍLIA DE AMPLIFICADORES OPERACIONAIS DE SUPRIMENTO ÚNICO DE BANDA LARGA COM ALTA SAÍDA


* Largura de banda larga...10 MHz

*Drive de alta saída

− euOH...57 mA em VDD− 1,5 VAmplificador operacional

− euOL...55 mA a 0,5 V

* Alta taxa de giro

− SR+ ...16 V/µs

− SR− ...19 V/µs

* Ampla Gama de Fornecimento...4,5 V a 16 V

*Fornecimento de corrente...1,9 mA/Canal

*Modo de desligamento de energia ultrabaixa

EUDD...125 µA/Canal

*Baixa tenso de ruído de entrada...8,5 nV√Hz

* Tenso de offset de entrada ...60 µV

*Pacotes ultrapequenos

− MSOP de 8 ou 10 pinos (TLC080/1/2/3)


descriço

Os primeiros membros da nova família de amplificadores operacionais de uso geral BiMOS da TI so os TLC08x.O conceito da família BiMOS é simples: fornecer um caminho de atualizaço para usuários BiFET que esto mudando de sistemas de alimentaço dupla para sistemas de alimentaço única e exigem maior desempenho CA e CC.Com desempenho classificado de 4,5 V a 16 V comercial (0°C a 70°C) e uma faixa de temperatura industrial estendida (-40°C a 125°C), o BiMOS se adapta a uma ampla gama de aplicações de áudio, automotivas, industriais e aplicações de instrumentaço.Recursos familiares como pinos de anulaço de deslocamento e novos recursos como MSOP PowerPADMTpacotes e modos de desligamento permitem níveis mais altos de desempenho em uma variedade de aplicativos.


Desenvolvidos no processo LBC3 BiCMOS patenteado pela TI, os novos amplificadores BiMOS combinam uma impedncia de entrada muito alta, front-end CMOS de baixo ruído com um estágio de saída bipolar de alto acionamento, fornecendo assim os recursos de desempenho ideal de ambos.As melhorias de desempenho AC em relaço aos predecessores TL08x BiFET incluem uma largura de banda de 10 MHz (um aumento de 300%) e ruído de tenso de 8,5 nV/√Hz (uma melhoria de 60%).As melhorias DC incluem um V garantidoICRque inclui aterramento, um fator de 4 reduço na tenso de deslocamento de entrada para 1,5 mV (máximo) no grau padro e uma melhoria na rejeiço da fonte de alimentaço de mais de 40 dB a 130 dB.Adicionada a esta lista de recursos impressionantes, está a capacidade de conduzir cargas de ± 50 mA confortavelmente a partir de um pacote MSOP PowerPAD ultrapequeno, que posiciona o TLC08x como a família ideal de amplificadores operacionais de propósito geral de alto desempenho.


classificações máximas absolutas sobre a faixa de temperatura operacional ao ar livre (a menos que indicado de outra forma)†

Tenso de alimentaço, VDD(ver Nota 1) ..................................................17 V

Faixa de tenso de entrada diferencial, VEU IA................................................±VDD

Dissipaço de potência total contínua..............................Consulte a Tabela de Classificaço de Dissipaço

Faixa de temperatura operacional ao ar livre, TA: sufixo C ................................0°C a 70°C

Eu sufixo .............................−40°C a 125°C

Temperatura máxima de junço, TJ...............................................0,150 °C

Faixa de temperatura de armazenamento, Tstg ..........................................−65°C a 150°C

Temperatura de chumbo 1,6 mm (1/16 pol.) da caixa por 10 segundos.........................260°C


† Estresses além dos listados em “classificações máximas absolutas” podem causar danos permanentes ao dispositivo.Estas so apenas classificações de estresse, e a operaço funcional do dispositivo nessas ou em quaisquer outras condições além das indicadas em “condições operacionais recomendadas” no está implícita.A exposiço a condições de classificaço máxima absoluta por períodos prolongados pode afetar a confiabilidade do dispositivo.

NOTA 1: Todos os valores de tenso, exceto tensões diferenciais, so em relaço ao GND.


TABELA DE CLASSIFICAÇO DE DISSIPAÇO

PACOTE θJC(°C/W) θJA(°C/W) TA≤ 25°C CLASSIFICAÇO DE POTÊNCIA
D (8) 38,3 176 710 mW
D (14) 26,9 122,3 1022 mW
D (16) 25,7 114,7 1090 mW
DGN (8) 4,7 52,7 2,37 W
DGQ (10) 4,7 52,3 2,39 W
N (14, 16) 32 78 1600 mW
P (8) 41 104 1200 mW
PWP (20) 1,40 26,1 4,79 W

Condições de operaço recomendadas

MÍNIMO MÁXIMOUNIDADE
Tenso de alimentaço, VDDFornecimento único4,5 16V
Fornecimento dividido±2,25 ±8
Tenso de entrada de modo comum, VICRGND VDD−2V
Nível de tenso de ligar/desligar‡VIH2V
VIL0,8
Temperatura operacional ao ar livre, TAC-sufixo0 70°C
I-sufixo-40 125

‡ Em relaço tenso no terminal GND do dispositivo.


INFORMAÇÕES DE APLICAÇO


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