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CARACTERÍSTICAS
• Ampla faixa de tenso de alimentaço de 1,65 V a 5,5 V
• Entrada/saída tolerante a 5 V para interface com lógica de 5 V
• Alta imunidade a ruído
• Proteço ESD:
– HBM EIA/JESD22-A114-B excede 2000 V
– MM EIA/JESD22-A115-A excede 200 V.
• Unidade de saída de ±24 mA (VCC = 3,0 V)
• Baixo consumo de energia CMOS
• O desempenho de travamento excede 250 mA
• Várias opções de pacotes
• Especificado de −40 °C a +85 °C e −40 °C a +125 °C.
DESCRIÇO
O 74LVC2GU04 é um dispositivo Si-gate CMOS de alto desempenho, baixo consumo de energia e baixa tenso, superior s famílias TTL compatíveis com CMOS mais avançadas.
A entrada pode ser acionada por dispositivos de 3,3 V ou 5 V.Esses recursos permitem o uso desses dispositivos em um ambiente misto de 3,3 V e 5 V.
O 74LVC2GU04 fornece dois inversores.Cada inversor é um único estágio com saída sem buffer.
SÍMBOLO | PARMETRO | CONDIÇÕES | TÍPICA | UNIDADE |
tPHL/tPLH | atraso de propagaço entrada nA para saída nY | VCC = 1,8 V;CL = 30 pF;RL =1kΩ | 2.3 | ns |
VCC = 2,5 V;CL = 30 pF;RL = 500 Ω | 1.8 | ns | ||
VCC = 2,7 V;CL = 50 pF;RL = 500 Ω | 2.6 | ns | ||
VCC = 3,3 V;CL = 50 pF;RL = 500 Ω | 2.3 | ns | ||
CEU | capacitncia de entrada | 5 | pF | |
CDP | capacitncia de dissipaço de energia por porta | VCC = 3,3 V;notas 1 e 2 | pF |