Transceptor de barramento octal Chip de circuito integrado de 3 estados 74HC245PW,118
Number modelo:74HC245PW
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:20000pcs
Prazo de entrega:1 dia
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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1. Descriço geral
O 74HC245;74HCT245 é um dispositivo Si-gate CMOS de alta velocidade e é compatível com pinos com Low-Power Schottky TTL (LSTTL).
O 74HC245;O 74HCT245 é um transceptor octal com saídas compatíveis com barramento de 3 estados no inversoras nas direções de envio e recebimento.O 74HC245;O 74HCT245 possui uma entrada de habilitaço de saída (OE) para fácil cascateamento e uma entrada de envio/recebimento (DIR) para controle de direço.OE controla as saídas para que os barramentos sejam efetivamente isolados.
O 74HC245;74HCT245 é semelhante ao 74HC640;74HCT640, mas tem saídas verdadeiras (no inversoras).
2. Características
■ Interface de barramento bidirecional octal
■ Saídas de 3 estados no inversoras
■ Várias opções de pacote
■ Em conformidade com a norma JEDEC nº.7A
■ Proteço ESD:
◆ HBM EIA/JESD22-A114-B excede 2000 V
◆ MM EIA/JESD22-A115-A excede 200 V
■ Especificado de -40 °C a +85 °C e de -40 °C a +125 °C
3. Dados de referência rápida
GND = 0 V;Tamb= 25°C;tr= tf= 6ns
| Símbolo | Parmetro | Condições | mín. | Tipo | máx. | Unidade |
| Tipo 74HC245 | ||||||
| tPHL, tPLH | atraso de propagaço An para Bn ou Bn para An | Ceu= 15 pF; VCC=5V | - | 7 | - | ns |
| CEU | capacitncia de entrada | - | 3.5 | - | pF | |
| CE/S | capacitncia de entrada/saída | - | 10 | - | pF | |
| CDP | capacitncia de dissipaço de energia por transceptor | VEU= GND a VCC | [1] - | 30 | - | pF |
| Tipo 74HC245 | ||||||
| tPHL, tPLH | atraso de propagaço An para Bn ou Bn para An | Ceu= 15 pF; VCC=5V | - | 10 | - | ns |
| CEU | capacitncia de entrada | - | 3.5 | - | pF | |
| CE/S | capacitncia de entrada/saída | - | 10 | - | pF | |
| CDP | capacitncia de dissipaço de energia por transceptor | VEU= GND para VCC− 1,5 V | [1] - | 30 | - | pF |
[1] CDPé usado para determinar a dissipaço de energia dinmica (PDem µW):
PD= CDP× VCC2 × feu× N + ∑ (CL × VCC2× fo) onde:
feu= frequência de entrada em MHz;
fo= frequência de saída em MHz;
Ceu= capacitncia de carga de saída em pF;
VCC= tenso de alimentaço em V;
N = número de comutações de entradas;
∑ (Ceu× VCC2× fo) = soma das saídas.
4. Diagrama funcional
Transceptor de barramento octal Chip de circuito integrado de 3 estados 74HC245PW,118
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