Módulo de poder do mosfet IGBT do poder do st do módulo de poder do Mosfet de FGH40N60SMD

Number modelo:FGH40N60SMD
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:8500pcs
Prazo de entrega:1 dia
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço: Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Fornecedor do último login vezes: No 48 Horas
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Detalhes do produto

FGH40N60SMDF

600V, parada de campo 40A IGBT


Características

• Temperatura de junço máxima: TJ =175℃

• Coeficiente positivo de Temperaure para o funcionamento paralelo fácil

• Capacidade atual alta

• Baixa tenso de saturaço: VCE (se sentou) =1.9V (tipo.) @ IC = 40A

• Impedncia alta da entrada

• Interruptor rápido

• Aperte a distribuiço do parmetro

• RoHS complacente


Aplicações

• Inversor solar, UPS, SMPS, PFC

• Aquecimento de induço


Descriço geral

Usando a tecnologia nova da parada de campo IGBT, a nova série de Fairchild de parada de campo IGBTs oferece o desempenho o melhor para as aplicações solares do inversor, do UPS, do SMPS, do IH e do PFC onde a baixa conduço e as perdas de comutaço so essenciais.


Avaliações máximas absolutas

SímboloDescriçoAvaliaçõesUnidades
VCESColetor tenso do emissor600V
VGESPorta tenso do emissor± 20V
ICCorrente de coletor @ TC = 25℃80
Corrente de coletor @ TC = 100℃40
ICM (1)Corrente de coletor pulsada120
SECorrente dianteira do diodo @ TC = 25℃40
Corrente dianteira do diodo @ TC = 100℃20
IFM (1)Corrente dianteira máxima pulsada do diodo120
PaládioDissipaço de poder máxima @ TC = 25℃349W
Dissipaço de poder máxima @ TC = 100℃174W
TJTemperatura de junço de funcionamento-55 a +175
TstgVariaço da temperatura do armazenamento-55 a +175
TL

Temp máximo da ligaço. para finalidades de solda,

1/8" do argumento por 5 segundos

300

Notas: 1: Avaliaço repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junço máxima.


Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça.QuantidadeTipoD/CPacote
EL817B-F12000EL16+MERGULHO
EL817C-F12000EVERLIGHT16+MERGULHO
EL817S (A) (TA) - F68000EVERLIGHT12+SOP-4
EM639165TS-6G7930ETRONTECH15+TSOP-54
EM63A165TS-6G13467ETRONTECH14+TSOP-54
EM78P459AKJ-G9386Compatibilidade eletrónica15+DIP-24
EMI2121MTTAG5294EM15+DFN
ENC28J60-I/SO7461MICROCHIP16+SOP-28
EP1C3T144C8N3452ALTERA13+QFP144
EP3C5F256C8N2848ALTERA15+BGA
EP3C80F780I7N283ALTERA16+BGA
EP91323575EXPLORE16+TQFP-80
EPC1213LC-203527ALT03+PLCC20
EPC1213PC88853ALTERA95+DIP-8
EPC2LI20N2794ALTERA13+PLCC
EPM7032SLC44-10N2472ALTERA13+PLCC44
EPM7064SLC44-10N2498ATLERA15+PLCC
EPM7128SQC100-10N1714ALTERA12+QFP
ERA-1SM+3210MINI15+SOT-86
ES1B-E3/61T18000VISHAY14+DO-214AC
ES2G-E3/52T12000VISHAY16+SMB
ES2J-E3/52T12000VISHAY13+DO-214AA
ES3J12000FSC15+SMC
ES56031S3498ES16+SOP-24
ESAD92-026268FUIJ16+TO-3P
ESD112-B1-02EL E63272300015+TSLP-2-20
ESD5Z5.0T1G9000EM13+SOD-523
ESD5Z7.0T1G12000EM16+SOD-523
ESDA6V1SC551000ST15+SOT23-5
ESP-12E3991AI16+SMT

China Módulo de poder do mosfet IGBT do poder do st do módulo de poder do Mosfet de FGH40N60SMD supplier

Módulo de poder do mosfet IGBT do poder do st do módulo de poder do Mosfet de FGH40N60SMD

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