Módulo de poder esperto do diodo do tiristor do módulo de poder do Mosfet de FSBB30CH60F

Módulo de poder esperto do diodo do tiristor do módulo de poder do Mosfet de FSBB30CH60F

Características

• No.E209204 certificado UL (pacote de SPM27-EA)

• Resistência térmica muito baixa devido a usar DBC

• 600V-30A 3 ponte do inversor da fase IGBT que inclui o controle CI para a conduço e a proteço da porta

• Terminais negativos divididos da C.C.-relaço para aplicações de detecço atuais do inversor

• fonte de alimentaço Único-aterrada devido a HVIC incorporado

• Avaliaço do isolamento de 2500Vrms/min.

Aplicações

• C.A. 100V ~ movimentaço trifásica do inversor 253V para movimentações pequenas do motor de C.A. do poder

• Aplicações dos aparelhos eletrodomésticos como o condicionador de ar e a máquina de lavar.

Descriço geral

É um módulo de poder esperto avançado (SPMTM) que Fairchild tem recentemente desenvolvido e projeta fornecer as movimentações do muito compactas e elevado desempenho de C.A. do motor que visam principalmente a aplicaço inversor-conduzida lowpower como o condicionador de ar e a máquina de lavar. Combina a proteço e a movimentaço de circuito aperfeiçoada combinadas a IGBTs de pequenas perdas. A confiança de sistema é aumentada mais pela proteço integrada do fechamento e do shortcircuit da sob-tenso. O HVIC incorporado de alta velocidade fornece a capacidade de conduço da porta da único-fonte IGBT do acoplador ótico-menos que mais para reduzir o tamanho total do projeto de sistema do inversor. Cada corrente da fase do inversor pode ser separadamente monitorado devido aos terminais negativos divididos da C.C.

Funções de poder integradas

• Inversor de 600V-30A IGBT para a converso de poder trifásica de DC/AC (consulte por favor para figurar 3)

Funções de controle integradas da movimentaço, da proteço e do sistema

• Para o alto-lado IGBTs do inversor:

Circuito de movimentaço da porta, deslocamento de alta velocidade isolado de alta tenso do nível

Proteço (UV) da sob-tenso do circuito de controle

• Para o baixo-lado IGBTs do inversor:

O circuito de movimentaço da porta, procura um caminho mais curto a proteço (o SC)

Proteço (UV) da sob-tenso da rede elétrica pública do controle

• Sinalizaço da falha: Correspondência a uma falha UV (fonte do Baixo-lado)

• Relaço entrada: 3.3/5V CMOS/LSTTL compatível, entrada de disparador de Schmitt

Avaliações máximas absolutas (TJ = 25°C, salvo disposiço em contrário)

Peça do inversor

Nota:

1. A avaliaço máxima da temperatura de junço das microplaquetas do poder integradas dentro do SPM é 150°C (≤ de @TC 100°C). Contudo, para segurar a operaço segura do SPM, a temperatura de junço média deve ser limitada ao ≤ 125°C _de TJ _(avenida) (≤ de @TC 100°C)

Pin Configuration

Pinos internos do circuito equivalente e do entrada/saída

Oferta conservada em estoque (venda quente)

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