Fornecedor de China do diodo de retificador da eletrônica de IC da microplaqueta do transistor do módulo de poder do Mosfet STGIPS20K60

Number modelo:STGIPS20K60
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:25pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:28000PCS
Prazo de entrega:1 dia
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço: Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Fornecedor do último login vezes: No 48 Horas
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Fornecedor de China do diodo de retificador da eletrônica de IC da microplaqueta do transistor do módulo de poder do Mosfet STGIPS20K60

Características
17 A, 600 V 3 ponte do inversor da fase IGBT que inclui o controle CI para a porta que conduz e que desce em roda livre o ■ 3,3 V dos diodos, 5 V, 15 comparadores das entradas de V CMOS/TTL com histerese e puxam para baixo/para levantar os resistores
■Diodo interno da tira de bota
■Funço de bloqueio
■Coeficiente de temperatura negativo de VCE (se sentou)
■Procurar um caminho mais curto IGBTs áspero
■Fechamento do Undervoltage
■Funço esperta da parada programada
■Comparador para a proteço da falha contra sobre a temperatura e a sobrecarga
■DBC isolou inteiramente o pacote
■Avaliaço do isolamento de 2500 Vrms/minuto

Aplicações
3 inversores da fase para movimentações do motor
■Aparelhos eletrodomésticos, tais como máquinas de lavar, refrigeradores, condicionadores de ar

Descriço
O módulo de poder STGIPS20K60 inteligente fornece um estojo compacto, movimentaço do motor de C.A. do elevado desempenho para um projeto simples e áspero. Visa principalmente inversores da baixa potência para aplicações tais como aparelhos eletrodomésticos e condicionadores de ar. Combina o ST que o controle proprietário CI com o a maioria avançado procura um caminho mais curto o sistema áspero de IGBT

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (1)

Tenso de fonte de VPN aplicada entre P - NU, nanovolt, nanowatt 450 V

Tenso de fonte de VPN (impulso) (impulso) aplicada entre P - NU, nanovolt, tenso do emissor do coletor do nanowatt 500 V VCES (VIN (1) = 0)

3. Largura de pulso limitada pela temperatura de junço máxima

Cada IGBT pulsou a corrente de coletor 40 A

PTOT cada dissipaço do total de IGBT em TC = 25°C

O tscw de 42 W procura um caminho mais curto suporta o tempo,

VCE = 0,5 V (BR) CES TJ = 125 °C, VCC = Vboot= 15 V, µs do ÷ 5 V 5 de VIN (1)= 0


TRANSPORTE BC847BLT118000EMCHINA
RC0805JR-0710KL35000YAGEOCHINA
RC0805JR-071KL20000YAGEOCHINA
DIODO DF06S3000SETEMBROCHINA
TAMPO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB20000TDKJAPO
DIODO US1A-13-F50000DIODOSMALÁSIA
INDUTOR. 100UH SLF7045T-101MR50-PF10000TDKJAPO
RES 470R 5% RC0805JR-07470RL500000YAGEOCHINA
RES 1206 2M 1% RC1206FR-072ML500000YAGEOCHINA
DIODO P6KE180A10000VISHAYMALÁSIA
RES 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL500000YAGEOCHINA
MUNIÇO DE DIODO UF4007500000MICCHINA
Transporte. ZXMN10A09KTC20000ZETEXTAIWAN
RES 0805 4K7 5%
RC0805JR-074K7L
500000YAGEOCHINA
ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA110000LITE-ONTAIWAN
TRANSPORTE MMBT2907A-7-F30000DIODOSMALÁSIA
TRANSPORTE STGW20NC60VD1000STMALÁSIA
C.I LM2576HVT-ADJ/NOPB500SITAILNDIA
C.I MC33298DW1000MOTMALÁSIA
C.I MC908MR16CFUE840FREESCALMALÁSIA
C.I P8255A54500INTELJAPO
C.I HM6116P-25000HITACHIJAPO
C.I DS1230Y- 1502400DALLASFILIPINAS
Transporte. ZXMN10A09KTC18000ZETEXTAIWAN
TRIAC BT151-500R500000MARROCOS
C.I HCNR200-000E1000AVAGOTAIWAN
TRIAC TIC116M10000SITAILNDIA
DIODO US1M-E3/61T18000VISHAYMALÁSIA
DIODO ES1D-E3-61T18000VISHAYMALÁSIA
C.I MC908MR16CFUE840FREESCALTAIWAN
C.I CD40106BE250SITAILNDIA
ACOPLADOR PC733H1000AFIADOJAPO
TRANSPORTE NDT452AP5200FSCMALÁSIA
CI LP2951-50DR1200SITAILNDIA
CI MC7809CD2TR4G1200EMMALÁSIA
DIODO MBR20200CTG22000EMMALÁSIA
FUSIVEL 30R300UU10000LITTELFUSEITAIWAN
C.I TPIC6595N10000SITAILNDIA
EPM7064STC44-10N100ALTERAMALÁSIA
DIODO 1N4004-T5000000MICCHINA
C.I CD4060BM500SITAILNDIA
ACOPLADOR MOC3020M500FSCMALÁSIA
DIODO W08500SETEMBROCHINA
C.I SN74HC373N1000SIFILIPINAS
FOTOSENSOR 2SS52M500honeywellJAPO
C.I SN74HC02N1000SITAILNDIA
C.I CD4585BE250SITAILNDIA
C.I MT46H32M16LFBF-6IT: C40MÍCRONMALÁSIA
DIODO MMSZ5242BT1G30000EMMALÁSIA


Dimensões do pacote
unidade: milímetro 2120

China Fornecedor de China do diodo de retificador da eletrônica de IC da microplaqueta do transistor do módulo de poder do Mosfet STGIPS20K60 supplier

Fornecedor de China do diodo de retificador da eletrônica de IC da microplaqueta do transistor do módulo de poder do Mosfet STGIPS20K60

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