Baixo motorista lateral de IR2011S 35ns, motorista de alta velocidade 10V do Mosfet do poder - 20V

Number modelo:IR2011STRPBF
Lugar de origem:Tailândia
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, COMPROMISSO
Capacidade da fonte:50000pcs
Prazo de entrega:Conservado em estoque
Contate

Add to Cart

Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço: Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Fornecedor do último login vezes: No 48 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto

IR2011STRPBF Computador IC chip alto e baixo lado driver alta velocidade powerMOSFET driver


Características


·Canais flutuantes concebidos para operaço bootstrap Totalmente operacionais até +200V Tolerantes tenso transitória negativa, imunes a dV/dt

·Área de alimentaço do accionamento do porto de 10V a 20V

·Canais laterais independentes, baixos e elevados

·Lógica de entradaHIN/LIN ativo elevado

·Localizaço de baixa tenso para ambos os canais

·Compatível com a lógica de entrada de 3.3V e 5V

·Input desencadeados pelo CMOS Schmitt com arranque

·Duraço de propagaço correspondente para ambos os canais ·Também disponível sem chumbo (PbF)


Aplicações


·Amplificadores de áudio da classe D ·Conversores SMPS DC-DC de alta potência

·Outras aplicações de alta frequência


Descriço

O IR2011 é um controlador MOSFET de alta potência e alta velocidade com canais de saída independentes referenciados para os lados alto e baixo, ideal para aplicações de converso de áudio de classe D e DC-DC.As entradas lógicas so compatíveis com a saída CMOS ou LSTTL padroOs controladores de saída apresentam um estágio tampo de corrente de alto pulso projetado para conduço cruzada mínima do controlador.Os atrasos de propagaço so combinados para simplificar a utilizaço em aplicações de alta frequênciaO canal flutuante pode ser usado para conduzir um MOSFET de potência de canal N na configuraço lateral alta que opera até 200 volts.As tecnologias proprietárias HVIC e CMOS resistentes a bloqueio permitem a construço monolítica robusta.


Atributos do produtoSelecione Todos
CategoriaCircuitos integrados (CI)
Série-
EmbalagemTape & Reel (TR)
Estatuto da parteAtividade
Configuraço a motorMeia-ponte
Tipo de canalIndependente
Número de condutores2
Tipo de portaMOSFET de canal N
Voltagem - Fornecimento10 V ~ 20 V
Voltagem lógica - VIL, VIH0.7V, 2.2V
Corrente - Pico de saída (fonte, sumidouro)1A, 1A
Tipo de entradaInverter
Voltagem lateral elevada - Max (Bootstrap)200 V
Tempo de subida / queda (tipo)35n, 20n
Temperatura de funcionamento-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemMontagem de superfície
Embalagem / Caixa8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)
Pacote de dispositivos do fornecedor8-SOIC
Número da parte de baseIR2011SPBF

China Baixo motorista lateral de IR2011S 35ns, motorista de alta velocidade 10V do Mosfet do poder - 20V supplier

Baixo motorista lateral de IR2011S 35ns, motorista de alta velocidade 10V do Mosfet do poder - 20V

Inquiry Cart 0