IGBT 600V 22A 156W isolou o transistor bipolar IRGB10B60KDPBF da porta
Number modelo:IRGB10B60KDPBF
Lugar de origem:Alemanha
Quantidade de ordem mínima:5-10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:10,000pcs
Prazo de entrega:em 2-3days conservado em estoque
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Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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IRGB10B60KDPBF Transistor Bipolar com Diodo de Recuperaço Superrápido
600V 22A 156W TO220AB
Características
• Baixo VCE (on) No Punch através da tecnologia IGBT.
• Baixa frequência VF de diodo.
• Capacidade de curto-circuito de 10 μs.
• RBSOA quadrada.
• Características de recuperaço inversa do diodo ultra- macio.
• Coeficiente de temperatura VCE (on) positivo.
• Sem chumbo
Benefícios
• Eficiência de referência para o controlo motor.
• Desempenho transitório robusto.
• Baixa EMI.
• Excelente partilha de corrente em operaço paralela.
| Número da parte | IRGB10B60KDPBF |
| Fabricante | Infineon |
| Categorias Produtos semicondutores discretos Transistores - IGBTs - Fabricante único | Infineon |
| Embalagem | Tubos |
| Origem | Alemanha. |
| Estatuto da parte | Atividade |
| Tipo IGBT | TNP |
| Voltagem - Desagregaço do emissor do colector (máximo) | 600 V |
| Corrente - colector (Ic) (máximo) | 22A |
| Corrente - Colector pulsado (Icm) | 44A |
| VCE (on) (Max) @ Vge Ic | 2.2V @ 15V 10A |
| Potência - Máximo | 156W |
| Mudança de energia | 140 μJ (acendido) 250 μJ (desligado) |
| Tipo de entrada | Padro |
| Taxa de entrada | 38nC |
IGBT 600V 22A 156W isolou o transistor bipolar IRGB10B60KDPBF da porta
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