Montagem 417mW de superfície do canal 60V 300mA dos transistor P de BSH201,215 NPN PNP (Ta) (Ta)
Number modelo:BSH201
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:3000 PCes
Termos do pagamento:T/T, Western Union, COMPROMISSO
Capacidade da fonte:30000PCS
Prazo de entrega:Conservado em estoque
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Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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BSH201 NPN PNP Transistores P-Channel 60V 300mA (Ta) 417mW (Ta) Montador de superfície
Transistor BSH201 MOS com modo de reforço de canal P
Características SÍMBOLO DADOS DE REFERÊNCIA RÁPIDOS • Tenso de
limiar baixa VDS = -60 V • Comutaço rápida • ID compatível com
nível lógico = -0,3 A • Pacote de montagem de superfície em
miniatura RDS ((ON) ≤ 2,5 Ω (VGS = -10 V)
DESCRIÇO GERAL PINNING SOT23
Canal P, modo de reforço, nível lógico PIN DESCRIPÇO, transistor de
potência de efeito de campo.Este dispositivo tem baixa tenso de
limiar de 1 porta e comutaço extremamente rápida tornando-o ideal
para aplicações alimentadas a bateria de 2 fontes e interface
digital de alta velocidade. 3 drenagem
O BSH201 é fornecido no pacote de montagem de superfície em
subminiatura SOT23.
| Atributos do produto | Selecione Todos |
| Categoria | Produtos de semicondutores discretos |
| Transistores - FETs, MOSFETs - Únicos | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. |
| Série | - |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Estatuto da parte | Atividade |
| Tipo de FET | Canal P |
| Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de saída para a fonte (Vdss) | 60 V |
| Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C | 300 mA (Ta) |
| Tenso de accionamento (max Rds On, min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 160mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA (min) |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| Vgs (máximo) | ± 20V |
| Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 48V |
| Característica FET | - |
| Dissipaço de energia (máximo) | 417 mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-236AB |
Montagem 417mW de superfície do canal 60V 300mA dos transistor P de BSH201,215 NPN PNP (Ta) (Ta)
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