Transistor de poder de BFS505,115 15V RF, transistor de superfície da montagem de 18mA 9GHz 150mW
Number modelo:BFS505
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:3000 PCes
Termos do pagamento:T/T, Western Union, COMPROMISSO
Capacidade da fonte:60000PCS
Prazo de entrega:Conservado em estoque
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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No 48 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
BFS505 NPN PNP Transistores RF Transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW Montador de superfície
Transistores de banda larga NPN 9 GHz
Características
• Baixo consumo de corrente
• Grande ganho de potência
• Baixo nível de ruído
• Alta frequência de transiço
• A metalizaço do ouro assegura
Excelente fiabilidade
• Envelope SOT323.
Descriço
Transistor NPN num SOT323 de plástico
O envelope.
destinado a amplificadores de baixa potência,
Osciladores e misturadores, especialmente para
Comunicaço portátil de RF
Equipamento (telefones celulares, sem fio)
Telefone, pager) até 2 GHz.
| Atributos do produto | Selecione Todos |
| Categoria | Produtos de semicondutores discretos |
| Transistores - Bipolares (BJT) - RF | |
| Fabricante | USA Inc. |
| Série | - |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Estatuto da parte | Obsoletos |
| Tipo de transistor | NPN |
| Voltagem - Desagregaço do emissor do colector (máximo) | 15 V |
| Frequência - Transiço | 9 GHz |
| Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.2 dB ~ 2.1 dB @ 900 MHz |
| Ganho | - |
| Potência - Máximo | 150 mW |
| Aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 6V |
| Corrente - colector (Ic) (máximo) | 18 mA |
| Temperatura de funcionamento | 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Embalagem / Caixa | SC-70, SOT-323 |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-323-3 |
Transistor de poder de BFS505,115 15V RF, transistor de superfície da montagem de 18mA 9GHz 150mW
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