NDT456P Diodo retificador de modo de aumento de canal P Transistor de efeito de campo

Number modelo:NDT456P
Lugar de origem:Filipinas
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Capacidade da fonte:20000
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NDT456P Transistor de Efeito de Campo de Modo de Reforço de Canal P


Características

* -7,5 A, -30 V. RDS ((ON) = 0,030 W @ VGS = -10 V RDS ((ON) = 0,045 W @ VGS = -4,5 V

* Projeto de célula de alta densidade para RDS extremamente baixo ((ON)

* Alta potência e capacidade de manuseio de corrente num pacote de montagem de superfície amplamente utilizado.


Descriço geral

Os transistores de efeito de campo de potência do modo de aprimoramento do canal SOT so produzidos usando a tecnologia DMOS, de alta densidade de célula proprietária da Fairchild.Este processo de alta densidade é especialmente adaptado para minimizar a resistência em estado e fornecer desempenho de comutaço superiorEstes dispositivos so particularmente adequados para aplicações de baixa tenso, tais como gesto de energia de computadores portáteis, circuitos alimentados por bateria e controlo de motores de CC.


SímboloParmetroNDT456PUnidades
VDSSVoltagem da fonte de drenagem- TrintaV
VGSSVoltagem da fonte da porta± 20V
TJ, TSTGIntervalo de temperatura de funcionamento e de armazenamento65 a 150°C
RqJAResistência térmica, junço com o ambiente (nota 1a)42°C/W
RqJCResistência térmica, junço com o invólucro (nota 1)12°C/W

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NDT456P Diodo retificador de modo de aumento de canal P Transistor de efeito de campo

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