A623308M-70SF Chip de circuito integrado 8K X 8 BIT CMOS SRAM IC de memória

Number modelo:A623308M-70SF
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:7000pcs
Prazo de entrega:1 dia
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Shenzhen China
Endereço: Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Fornecedor do último login vezes: No 48 Horas
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Detalhes do produto

Série A623308

8K X 8 BIT CMOS SRAM


Características

• Tenso de funcionamento externa: 4,5 V a 5,5 V

• Tempos de acesso: 70 ns (máximo)

• Atual:

Série A623308-S: Funcionamento: 35mA (máximo)

Disponibilidade: 10 mA (máximo)

Série A623308-SI/SU: Funcionamento: 35mA (máximo)

Em estado de espera: 15 mA (máximo)


Descriço geral

A A623308 é uma memória de acesso aleatório estático de 65.536 bits de baixa corrente operacional organizada em 8.192 palavras por 8 bits e opera em uma única fonte de alimentaço de 5 V.As entradas e as saídas de três estados so compatíveis com o TTL e permitem interfaces diretas com estruturas comuns de autocarros do sistema.


• Intervalo alargado de temperatura de funcionamento: 0°C a 70°C para a série -S, -25°C a 85°C para a série -SI, -40°C a 85°C para a série -SU.

• Funço estática completa, sem necessidade de relógio ou de atualizaço

• Todas as entradas e saídas so directamente compatíveis com o TTL

• E/S comum utilizando saída de três estados

• Tenso de retenço de dados: 2,0 V (min.)

• Disponível em pacotes SOP e TSOP (forward type) de 28 pines


A energia mínima de espera é consumida por este dispositivo quando o CE está em um nível elevado, independente dos outros níveis de entrada.


Configurações de pin


Diagrama de blocos


Classificações máximas absolutas

VCCpara a GND. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0,5 V a +7,0 V

IN, IN/OUT Volt para GND. . . . . . . . -0,5 V a VCC+ 0,5 V

Temperatura de funcionamento,

Topr. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0°C a +70°C ou -40°C a +85°C

Temperatura de armazenamento, Tstg. . . . . . . . . -55°C a +125°C

Dissipaço de energia, PT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,7W

Temperatura e Tempo de solda. . . . . . . . . . . . . 260°C, 10 segundos


*Comentários

As tensões superiores s indicadas na secço "Classificações máximas absolutas" podem causar danos permanentes ao dispositivo. Functional operation of this device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied and exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.


Oferta de ações (Venda em Quente)

Parte N°.QuantidadeMarcaD/CPacote
SN74LVC2G14DBVR6000TIMais de 15 anosSOT23-6
SN74LVC2G241DCUR23415TIMais de 14 anosVSSOP-8
SN74LVC2G66DCUR104000TIMais de 16 anosVSSOP-8
SN74LVC2T45DCTR18303TIMais de 13 anosSSOP-8
SN74LVC32ADR97000TIMais de 15 anosSOP-14
SN74LVC4245ADWR7399TIMais de 16 anosSOP-24
SN74LVCH16245ADGGR16386TIMais de 16 anosTSSOP-48
SN74LVT244BPWR67000TIMais de 16 anosTSSOP-20
SN74LVTH245ADWR6888TIMais de 12 anosSOP-20
SN74LVTH273DWRG412568TI04+SOP7.2MM
SN75451BDR16457TI06+SOP-8
SN75491N5460TIMais de 13 anosDIP-14
SN75C1406DR5775TI11+SOP-16
SN75HVD10DR5746TI06+SOP-8
SN75LBC184DR10414TIMais de 16 anosSOP-8
SP0503BAHTG65000LITTELFUSMais de 15 anosSOT-143
SP0504BAHTG10000LITTELFUSMais de 16 anosSOT23-5
SP2574NUTG7370LITTELFUSMais de 14 anosQFN
SP3077EEN6872SIPEXMais de 13 anosSOP-8
SP3203ECY-L/TR8452SIPEX07+TSSOP-20
SP3232ECT5717SIPEXMais de 16 anosSOP-16
SP3232EEN88000EXARMais de 16 anosSOP-16
SP509CF-L3176EXAR11+TQFP100
SPA07N60C37814Mais de 16 anosTO-220F
SPA20N60C33427Mais de 15 anosTO-220F
SPC 5606SF2VLQ6R4209FREESCALEMais de 12 anosTQFP
SPF5043Z3720RFMDMais de 14 anosSOT-343
SPM6530T-2R2M7314TDKMais de 16 anosSMD
SPP11N80C33691Mais de 16 anosTO-220
SPU18P06P1063509+TO-251

China A623308M-70SF Chip de circuito integrado 8K X 8 BIT CMOS SRAM IC de memória supplier

A623308M-70SF Chip de circuito integrado 8K X 8 BIT CMOS SRAM IC de memória

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