PIMN31,115 Transistor equipado com resistor NPN / PNP 500 MA 50V Transistor de porta dupla
Number modelo:PIMN31
Lugar de origem:Malásia
Quantidade de ordem mínima:3000 PCes
Termos do pagamento:T/T, Western Union, COMPROMISSO
Capacidade da fonte:30000PCS
Prazo de entrega:Conservado em estoque
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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HGTG11N120CND NPT Série N Canal IGBT Diodo Antiparallel Hiperrápido 43A 1200V
Descriço:
O HGTG11N120CND é um projeto IGBT sem punço (NPT).
Este é um novo membro da família MOS gated alta voltagem comutaço
IGBT.
Os IGBTs combinam as melhores características dos MOSFETs e dos
transistores bipolares.
Este dispositivo tem a alta impedncia de entrada de um MOSFET e a
baixa perda de conduço em estado de um transistor bipolar.
O IGBT utilizado é do tipo de desenvolvimento TA49291.
O diodo utilizado é do tipo de desenvolvimento TA49189.
O IGBT é ideal para muitas aplicações de comutaço de alta tenso que
operam em frequências moderadas
onde so essenciais baixas perdas de conduço, tais como: comandos de
motores AC e DC, fontes de alimentaço e condutores para solenoides,
Relais e contatores, ex-tipo de desenvolvimento TA49303.
Características:
• 43A, 1200V, TC = 25oC
• Capacidade de SOA de comutaço de 1200 V
• Tempo típico de queda. . . . . .340ns a TJ = 150oC
• Classificaço de curtocircuito
• Baixa perda de conduço
• Modelo SPICE de impedncia térmica
PIMN31,115 Transistor equipado com resistor NPN / PNP 500 MA 50V Transistor de porta dupla
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