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O CY62167EV30 é um CMOS de capacidade elevada RAM estático organizado como palavras de 1M por 16 bocados ou palavras de 2M por 8 bocados. Este dispositivo caracteriza um projeto de circuito avançado que forneça uma corrente ativa ultra baixa. A corrente ativa ultra baixa é ideal para fornecer mais da vida da bateria (MoBL®) em aplicações portáteis tais como telefones celulares. O dispositivo igualmente tem um poder automático abaixo da característica que reduz o consumo de potência por 99 por cento quando os endereços no esto firmando. Coloque o dispositivo no modo espera quando deselected (a ELEVAÇO CE1 ou o PONTO BAIXO CE2 ou BHE e BLE so ALTA). Os pinos da entrada e da saída (I/O0 com I/O15) so colocados em um estado da alto-impedncia quando: o dispositivo deselected (ELEVAÇO CE1 ou CE2 BAIXO), saídas é deficiente (ELEVAÇO de OE), elevaço do byte permite e o byte baixa Enable é deficiente (ELEVAÇO de BHE, de BLE), ou a escreve a operaço é em andamento (PONTO BAIXO CE1, ELEVAÇO CE2 e NÓS BAIXO).
Categoria | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
Mfr | Infineon Technologies |
Série | MoBL® |
Estado do produto | Ativo |
Tipo da memória | Temporário |
Formato da memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Assíncrono |
Tamanho de memória | 16Mbit |
Organizaço da memória | 2M x 8, 1M x 16 |
Relaço da memória | Paralelo |
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | 45ns |
Tempo de acesso | 45 ns |
Tenso - fonte | 2.2V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Montando o tipo | Montagem de superfície |
Pacote/caso | 48-VFBGA |
Pacote do dispositivo do fornecedor | 48-VFBGA (6x8) |