Memória não temporária IC de FEMC512GBE-E530 NAND Memory IC 4Tb 200MHz

Number modelo:FEMC512GBE-E530
Lugar de origem:Cingapura
Quantidade de ordem mínima:1
Termos do pagamento:T/T
Capacidade da fonte:10
Prazo de entrega:5-10 dias de trabalho
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Shenzhen China
Endereço: 4E, no. 3, estrada de Shenfeng, a comunidade de Liuyue, rua de Henggang, distrito de Longgang, Shenzhen
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Detalhes do produto

FLASH FEMC512GBE-E530 - memória IC 4Tb EMMC_5.1 200MHz 100-FBGA do NAND (TLC)

 

Mfr
PTE Ltd de Flexxon
Série
AXO
Estado do produto
Ativo
Tipo da memória
Permanente
Formato da memória
FLASH
Tecnologia
FLASH - NAND (TLC)
Tamanho de memória
4Tb (512G x 8)
Relaço da memória
eMMC_5.1
Frequência de pulso de disparo
200 megahertz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página
-
Tenso - fonte
2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamento
-40°C ~ 85°C
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote/caso
100-LBGA
Pacote do dispositivo do fornecedor
100-FBGA (14x18)

 

ORIGINAL

 

Nossa empresa assegura-se de que cada grupo de produtos venha da fábrica original, e pode-se fornecer etiquetas originais e relatórios profissionais da agência de teste.

 

PREÇO

 

Nós fornecemos uma variedade de canais da cotaço, e assinamos o contrato da ordem após a negociaço.

 

TRANSAÇO

 

Após uma comunicaço e o acordo, nós guiá-lo-emos para arranjar o pagamento.

 

CICLO DE ENTREGA

 

A entrega no mesmo dia, geralmente 5-12 dias de trabalho, pode levemente ser atrasada durante a epidemia, nós continuará o processo inteiro.

 

TRANSPORTE

 

Nós escolheremos o modo apropriado do transporte de acordo com seu país.

 

EMPACOTAMENTO

 

Após uma comunicaço com você, nós escolheremos o método de empacotamento apropriado de acordo com o peso dos bens assegurar a entrega segura dos bens.

China Memória não temporária IC de FEMC512GBE-E530 NAND Memory IC 4Tb 200MHz supplier

Memória não temporária IC de FEMC512GBE-E530 NAND Memory IC 4Tb 200MHz

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