E-O Crystal LiNbO3 com duplicação de frequência 1064nm moduladores de fase Z cut X eletrodos de face

Número do modelo:LiNbO3
Lugar de origem:Wuhan, China
Quantidade Mínima de Pedido:1 peça
Termos de pagamento:T/T, Western Union, Paypal
capacidade de fornecimento:50000 unidades/mês
Tempo de entrega:Negociável
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Wuhan China
Endereço: 4º andar, edifício 9, Optics Valley New Dynamic, 5ª estrada Hi-Tech, East lake Hi-Tech Zone, Wuhan, China
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Cristal EO LiNbO3

Viso geral:

cristais LiNbO3so amplamente usados ​​como duplicadores de frequência para comprimentos de onda superiores a 1 μm e osciladores paramétricos ópticos (OPOs) bombeados a 1064 nm, bem como dispositivos quasi-phase-matched (QPM).Devido aos seus grandes coeficientes eletro-ópticos e acústico-ópticos, os cristais LiNbO3 so o material mais comumente usado para células pockel, Q-switches para lasers Nd:YAG, Nd:YLF, Ti:Sapphire e moduladores de fase, substratos de guia de onda, superfície wafers de ondas acústicas (SAW), etc.

A luz se propaga na direço do eixo z e os eletrodos so aplicados a x faces


Especificações Gerais decristais LiNbO3:

tolerncia dimensional±0,1 mm
Tolerncia de ngulo±0,5 graus
Qualidade da superfície20/10 Arranhar e cavar
Abertura clara>90%
Planicidade da Superfície<λ/8@633nm
Distorço de frente de onda<λ/4@633nm
Paralelismo<20 segundos de arco
Perpendicularidade<5 minutos de arco
Revestimento ARR<0,25%@comprimento de onda central
Limiar de Dano>5J/cm2, 20 ns, 20 Hz, 1064 nm

Produtos padro de cristais LiNbO3:

PN.Material

Dimenso

(milímetros)

Comprimento

(milímetros)

CorteSuperfície finalSuperfície Lateral
LNO3315

LiNbO3

3X315corte em Z

AR/AR@1064nm

X Face Au Eletrodos

LNO4415

LiNbO3

4X415corte em Z

AR/AR@1064nm

X Face Au Eletrodos

LNO6625

LiNbO3

6X625corte em Z

AR/AR@1064nm

X Face Au Eletrodos

LNO9925

LiNbO3

9X925corte em Z

AR/AR@1064nm

X Face Au Eletrodos


Propriedades físicas e ópticas do Cristais de LiNbO3:

Estrutura de cristalTrigonal, grupo espacial R3c
Parmetros da Célulaa = 0,515A, c = 13,863A, Z = 6A
Ponto de fuso1255±5oC
Ponto Curie1140±5oC
Dureza de Mohs5
Densidade4,64 g/cm3
Coeficiente de absorço~ 0,1%/cm@1064nm
SolubilidadeInsolúvel em água
Constante dielétrica relativaeT11/e0: 85
eT33/e0: 29,5
Coeficientes de Expanso Térmica (@25oC)||a, 2,0 x 10-6/K
||c, 2,2 x 10-6/K
Condutividade térmica38 W/m/K @ 25oC
Intervalo de Transparência420-5200nm
Homogeneidade óptica~5 x 10-5/cm
Equações de Sellmeier (λ em um)no2= 4,9048+0,11768/(λ2- 0,04750) - 0,027169λ2
ne2= 4,5820+0,099169/(λ2- 0,04443) - 0,021950λ2
Coeficientes NLOd33= 34,4 pm/V
d31= d15= 5,95 pm/V
d22= 3,07 pm/V
Coeficientes eletro-ópticosgT33= 32 pm/V, gS33= 31 pm/V
gT31= 10 pm/V, gS31= 8,6 pm/V
gT22= 6,8 pm/V, gS22= 3,4 pm/V
Tenso de meia onda, DCCampo elétrico ||z, luz ⊥z 3,03 KV
Campo elétrico ||x ou y, luz ||z 4,02 KV
Coeficientes NLO de Eficiênciadeff=5,7pm/V ou ~14,6xd36(KDP) para duplicaço de frequência 1300 nm;
deff=5,3pm/V ou ~13,6xd36(KDP) para OPO bombeado a 1300 nm;
deff=17,6pm/V ou ~45xd36(KDP) para estrutura quasi-phase-matched;
Limiar de Dano200 MW/cm2


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E-O Crystal LiNbO3 com duplicação de frequência 1064nm moduladores de fase Z cut X eletrodos de face

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