Placas de AlN das carcaças do nitreto de alumínio para o semicondutor LD do pacote do diodo emissor de luz & do laser do Ultra-poder

Lugar de origem:China
Quantidade Mínima de Pedido:1 KG
Quantidade de ordem mínima:100Pcs
Detalhes da embalagem:SACOS, BARRILHOS, CAIXAS
Prazo de entrega:GERALMENTE 1 MÊS
Termos de pagamento:T/T com antecedência
Contate

Add to Cart

Fornecedor verificado
Zhuhai Guangdong
Endereço: No.9 Qianshan Road, Zhuhai, Província de Guangdong, China
Fornecedor do último login vezes: No 1 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto

Especificações

Especificaço dos substratos de nitreto de alumínio
DescriçoO substrato cermico de nitruro de alumínio tem excelente condutividade térmica, menor constante dielétrica e perda média, desempenho de isolamento confiável, excelentes propriedades mecnicas, no tóxico,resistência alta temperaturaÉ amplamente utilizado em diferentes áreas, como dispositivos de comunicaço, LEDs de alto brilho e dispositivos eletrônicos eletrônicos.É um material cermico electrónico com excelentes performances.
Vantagens(1) Tem uma elevada condutividade térmica ((> 200w), que é de 5 a 10 vezes superior da alumina cermica.
(2) O coeficiente de expanso térmica (4,3x10-6/°C) corresponde ao material de silício semicondutor (3,5-4,0x10-6/°C).
(3) Boas propriedades mecnicas, resistência curvatura superior da cermica BEO, próxima da alumina.
(4) Excelente desempenho elétrico, elevada resistência ao isolamento e baixa perda de média.
(5) O material do circuito é compatível com uma boa compatibilidade e pode ser realizada uma fiaço de várias camadas para alcançar a alta densidade e miniaturizaço da embalagem.
(6) No tóxico, que favorece a protecço do ambiente.
Propriedades dos materiaisC-ALN-200
CoresCinza e Branca
Densidadeg/cm3≥ 3.0
Roughness da superfície Raμm0.300-0.600
Força flexuralMPa> 320
CamberDuraço≤ 2
Conductividade térmica25°C, W/m·k≥ 200
Coeficiente de expanso térmica10-6/K ((40-400°C)4.0-5.0
10-6/K ((40-800°C)3.5x10-6
Constante dielétricakv/MN17
Resistência de volume25°C,Ω·cm≥ 1014
Observações: os valores acima referidos so típicos e no especificativos.
TamanhoEspessuracomprimento*largura
0.381mm500,8*50,8 mm
110*110 mm
114.3*114,3 mm
120*120 mm
127*127 mm
139*190 mm
0.500 mm
0.635mm
1.0 mm
1.5 mm
AplicaçõesPacote de LED
Placas de base de cermica de resistência
Semicondutores a laser de ultrapotência LD

 

 

Product Show

China Placas de AlN das carcaças do nitreto de alumínio para o semicondutor LD do pacote do diodo emissor de luz & do laser do Ultra-poder supplier

Placas de AlN das carcaças do nitreto de alumínio para o semicondutor LD do pacote do diodo emissor de luz & do laser do Ultra-poder

Inquiry Cart 0