IPD80R1K4P7 Transistor Mosfet de canal N TO-252

Number modelo:IPD80R1K4P7
Lugar de origem:Original
Quantidade de ordem mínima:1PCS
Termos do pagamento:D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte:37830pcs
Prazo de entrega:3
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço: 2515 século huiduhuixuan, no. 3078, estrada média de Shennan, rua de Huaqiangbei, distrito de Futian, Shenzhen, China
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ISO9001.pdf

Aplicaço:
IPD80R1K4P7 é um transistor do MOSFET do N-canal de uso geral nos conversores de grande eficacia de DC-DC e nas aplicações da fonte de alimentaço. Pode operar-se na baixa tenso e tem a baixa resistência e a velocidade de comutaço alta, fazendo a muito apropriada para o uso em aplicações da baixa tenso.
Concluso:
IPD80R1K4P7 tem as seguintes características:
Baixas perdas mesmas do interruptor e da conduço;
Limite de alta tenso, capaz do funcionamento na alta tenso;
A velocidade de comutaço alta permite conversores eficientes de DC-DC;
Estabilidade de alta temperatura, capaz do trabalho em ambientes de alta temperatura.
Parmetros:
Os parmetros chaves de IPD80R1K4P7 so como segue:
Corrente avaliado: 80A;
Tenso avaliado: 40V;
Tenso de fonte de alimentaço máxima do dreno: 55V;
Resistência estática: 1.4m Ω;
Capacidade típica: 2000pF;
Variaço da temperatura de trabalho: -55 ° C DO ° C~+175;
Tipo de empacotamento: TO-252 (DPAK).

Especificações técnicas do produto 
  
UE RoHSComplacente com 聽 da isenço
ECCN (E.U.)EAR99
Estado da parteNo-confirmado
HTS8541.29.00.95
SVHCSim
SVHC excede o ponto inicialSim
AutomotivoNo
PPAPNo
Categoria de produtoMOSFET do poder
ConfiguraçoÚnico
Tecnologia de processamentoCoolMOS P7
Modo do canalRealce
Tipo de canalN
Número de elementos pela microplaqueta1
Tenso máxima da fonte do dreno (v)800
Tenso de fonte de porta máxima (v)20
Tenso máxima do ponto inicial da porta (v)3,5
Dreno contínuo máximo (a) atual4
Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA)1000
IDSS máximo (A)1
Resistência máxima da fonte do dreno (mOhm)1400@10V
Carga típica @ Vgs da porta (nC)10@10V
Carga típica @ 10V da porta (nC)10
Capacidade entrada típica @ Vds (PF)250@500V
Dissipaço de poder máxima (mW)32000
Tempo de queda típico (ns)20
Tempo de elevaço típico (ns)8
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns)40
Tempo de atraso de ligaço típico (ns)10
Temperatura de funcionamento mínima (掳 C)-55
Temperatura de funcionamento máximo (掳 C)150
EmpacotamentoFita e carretel
MontagemMontagem de superfície
Altura do pacote2,41 (máximo)
Largura do pacote6,22 (máximo)
Comprimento do pacote6,73 (máximo)
O PWB mudou2
AbaAba
Pacote do fornecedorDPAK
Pin Count3
China IPD80R1K4P7 Transistor Mosfet de canal N TO-252 supplier

IPD80R1K4P7 Transistor Mosfet de canal N TO-252

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