IPD082N10N3 TO-252 Ic Circuito Integrado N-Channel Transistor Mosfet

Number modelo:IPD082N10N3
Lugar de origem:Original
Quantidade de ordem mínima:1PCS
Termos do pagamento:D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte:57830pcs
Prazo de entrega:3
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Shenzhen China
Endereço: 2515 século huiduhuixuan, no. 3078, estrada média de Shennan, rua de Huaqiangbei, distrito de Futian, Shenzhen, China
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ISO9001.pdf

O IPD082N10N3 é um transistor MOSFET de canal N. As seguintes so suas aplicações, conclusões e parmetros:
Aplicaço:
Utilizado como interruptor de carga de alta tenso e de alta potência
Utilizado como interruptor para conversores e reguladores
Concluso:
Capacidade de alta tenso: Vds=100V
Baixa resistência de conduço: Rds (on) = 8,2m Ω (typ.)
Velocidade de comutaço rápida: td (acendido) = 16ns (típico), td (desligado) = 60ns (típico)
Desempenho em altas temperaturas: pode funcionar a temperaturas de até 175 °C
Cumprir as directivas RoHS e os requisitos de livre de chumbo
Parmetros:
Vds (voltagem da fonte de descarga): 100V
Vgs (voltagem da fonte da porta): ± 20V
Id (corrente de escoamento): 80A
Rds (on) (resistência de conduço): 8,2 m Ω (tipo)
Qg (carga de porta): 135nC (típico)
Td (on) (tempo de atraso de arranque): 16 ns (típico)
Td (desligado) (tempo de atraso de desligamento): 60 ns (típico)
Tj (temperatura de junço): 175 °C
Cumprir as directivas RoHS e requisitos sem chumbo.

Especificações técnicas do produto 
  
RoHS da UECompatível com a isenço聽
ECCN (EUA)EAR99
Estatuto da parteNo confirmado
SVHC- Sim, sim.
SVHC excede o limiar- Sim, sim.
AutomóveisDesconhecido
PPAPDesconhecido
Categoria de produtosMOSFET de potência
ConfiguraçoSolteiro
Tecnologia de processoOptiMOS 3
Modo de canalReforço
Tipo de canalN
Número de elementos por chip1
Voltagem máxima da fonte de escoamento (V)100
Voltagem máxima da fonte da porta (V)¥20
Voltagem de limiar de entrada máxima (V)3.5
Corrente de escoamento contínua máxima (A)80
Corrente máxima de fuga da fonte da porta (nA)100
IDSS máximo (uA)1
Resistência máxima da fonte de drenagem (mOhm)8.2@10V
Carga típica da porta @ Vgs (nC)42@10V
Carga típica da porta @ 10V (nC)42
Capacidade de entrada típica @ Vds (pF)2990@50V
Dissipaço máxima de potência (mW)125000
Tempo (s) típico (s) de queda8
Tempo (s) típico (s) de subida42
Tempo (s) de atraso típico de desligamento31
Tempo (s) típico (s) de atraso da ligaço18
Temperatura mínima de funcionamento ( capturadoC)- 55
Temperatura máxima de funcionamento ( capturasC)175
Embalagemfita e bobina
InstalaçoMontagem de superfície
Altura da embalagem2.41 (Max)
Largura do pacote6.22 (máximo)
Duraço do pacote6.73 (max)
PCB alterado2
TabelaTabela
Nome padro do pacoteTO-252
Pacote do fornecedorDPAK
Contagem de alfinetes3
Forma do chumboAves-do-mar
China IPD082N10N3 TO-252 Ic Circuito Integrado N-Channel Transistor Mosfet supplier

IPD082N10N3 TO-252 Ic Circuito Integrado N-Channel Transistor Mosfet

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