Dispositivo de poder da trincheira do MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC do carboneto de silicone

Number modelo:IMZA65R072M1H
Lugar de origem:NC
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Prazo de entrega:5-8 dias do trabalho
Detalhes de empacotamento:TO-247-4
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Dispositivo de poder da trincheira do MOSFET IMZA65R072M1H 650V CoolSiC M1SiC do carboneto de silicone

 

Descriço do produto de IMZA65R072M1H

Forças de alavanca da tecnologia do MOSFET de IMZA65R072M1H CoolSiC™ as características físicas fortes do carboneto de silicone, adicionando as características originais que aumentam o desempenho, o vigor, e a acessibilidade do dispositivo. O MOSFET 650V de IMZA65R072M1H CoolSiC™ é construído em um semicondutor avançado da trincheira, aperfeiçoado para no permitir nenhum acordo em obter ambas as mais baixas perdas na aplicaço e a confiança a mais alta na operaço.
O MOSFET de IMZA65R072M1H sic no pacote do pino TO247 4 reduz efeitos parasíticos da indutncia da fonte no circuito de porta permitindo um interruptor mais rápido e a eficiência aumentada.

 

Especificaço de IMZA65R072M1H

Número da peçaIMZA65R072M1HDrene tenso da fonte (Vdss)650 V
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C28A (Tc)Polaridade do transistorN-canal
RDS - na resistência da Dreno-fonte94 mOhmsQg - carga da porta22 nC
Dissipaço de poder (máxima)96W (Tc)Temperatura de funcionamento-55°C ~ 150°C (TJ)

 

Características de IMZA65R072M1H

  • Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents
  • CommutationrobustfastbodydiodewithlowQrr
  • Superiorgateoxidereliability
  • Bestthermalconductivityandbehavior
  • Andpulsecurrentdependencyontemperature de LowerRDS (sobre)
  • Increasedavalanchecapability
  • Compatiblewithstandarddrivers (idade do recommendeddrivingvol: 18V)
  • Kelvinsourceprovidesupto4timeslowerswitchinglosses

 

Benefícios de IMZA65R072M1H

  • Elevado desempenho, confiança alta e acessibilidade
  • Permite a eficiência de sistema alta
  • Reduz o custo e a complexidade de sistema
  • Permite o tamanho de sistema menor
  • Trabalhos nas topologias com comutaço dura contínua
  • Ajuste para operações de alta temperatura e ásperas
  • Permite topologias bidirecionais

 

Aplicações potenciais de IMZA65R072M1H

  • Servidor
  • Telecomunicações
  • SMPS
  • Sistemas de energia solar
  • Armazenamento de energia e formaço da bateria
  • UPS
  • Carregamento de EV
  • Movimentações do motor

 

Diagramas de IMZA65R072M1H

 

O pacote esboça IMZA65R072M1H

 

FAQ
Q. So seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos so importaço original original, nova so nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estaro no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execuço?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execuço para você baseamos em sua quantidade da ordem.

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Dispositivo de poder da trincheira do MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC do carboneto de silicone

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