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Microplaqueta original nova do circuito integrado CI Bss123 Sa Sot23
Produtos Descriço:
MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59 do N-canal BSS123 que marca o interruptor do SA/nível rápidos da lógica compatíveis
Tenso máxima da Dreno-fonte de Vds da tenso do Fonte-dreno| 100V ---|--- Tenso máxima da Porta-fonte de Vgs da tenso da Porta-fonte (±)| a identificaço atual do dreno 100V máximo drena atual| Fonte-dreno 170mA/0.17A -resistanceΩRds DΩ no Em-estado Ω/Ohmesistance de /Ohmain-SouΩ/Ohmce| 3.4Ω/Ohm @1.7A, tenso de ligaço do ponto inicial da Porta-fonte de Vgs da tenso 10V (th)| dissipaço de poder do paládio 0.8-1.2V| descriço 360mW/0.36W & aplicações| Transistor de efeito de campo BSS100 do modo do realce do nível da lógica do N-canal: 0.22A, 100V. RDS (SOBRE) = 6W @ VGS = 10V. BSS123: 0.17A, 100V. RDS (SOBRE) = 6W @ projeto da pilha do alto densidade VGS = 10V para extremamente - interruptor pequeno controlado do sinal da baixa tenso do RDS (SOBRE). Áspero e seguro. Descriço & aplicaço | Transistor de efeito de campo BSS100 do modo do realce do nível da lógica do N-canal: 0.22A, 100V. RDS (SOBRE) = 6W@VGS =10V. BSS123: 0.17A, 100V. A bateria do alto densidade do RDS (EM) =6W@ VGS= 10V é projetada com extremamente - baixa tenso do RDS (SOBRE) controlar o interruptor pequeno do sinal.
Parmetros tecnologicos:
Capacidade entrada (Ciss) | 73pF @25V (Vds) |
resistência da Dreno-fonte | 1,2 Ω |
Poder dissipado | 360 mW |
tenso do ponto inicial | 1,7 V |
Tenso da Dreno-fonte (Vds) | 100 V |
Método da instalaço | Montagem de superfície |
número de pino | 3 |
pacote | SOT-23-3 |
Temperatura de funcionamento | -55℃ ~ 150℃ |
Embalagem | Fita & carretel (TR) |