MOSFET NPN Microplaqueta SOT-23 SOT-23-3 LP2301BLT1G de IC do transistor

Number modelo:LP2301BLT1G
Quantidade de ordem mínima:discutível
Termos do pagamento:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte:10000 PCes pelo mês
Prazo de entrega:dias 1-7Work
Detalhes de empacotamento:original
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Fornecedor verificado
Shenzhen Guangdong China
Endereço: B615, construção de Niulanqian, avenida de Minzhi, distrito de Longhua, cidade de Shenzhen, província de Guangdong, China
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Transistor novo original PNP SOT-23 do MOSFET NPN (SOT-23-3) LP2301BLT1G

Produtos Descriço:

Diodos e retificadores de 1.MOS (transistor de efeito de campo) /LP2301BLT1G

material 2.the de exigências do withRoHS da conformidade do produto e halogênio livre

3.S- prefixo para exigências automotivos e outras da mudança do local e de controle do requiringunique das aplicações; AEC-Q101qualified e PPAP capazes

4.RDS (SOBRE), VGS@-2.5V, IDS@-2.0A =150MΩ

5.RDS (SOBRE), VGS@-4.5V, IDS@-2.8A =110MΩ

gesto 6.Power no interruptor a pilhas DSC da carga de sistema do equipamento portátil do livro de nota

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta = 25ºC)

ParmetroSímboloLimitesUnidade
Tenso da Dreno-fonteVDSS-20V
Tenso da Porta--fonte – contínuaVGS±8V
Drene atual (nota 1)
– Contínuo Ta = 25°C
– Pulsado

Identificaço

IDM

-2

-10

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS

ParmetroSímboloLimitesUnidade
Dissipaço de poder máximaPaládio0,7W
Resistência térmica,
Junço--ambiental (nota 1)
RΘJA175C/W
Temperatura da junço e de armazenamentoTJ, Tstg−55∼+150C

Parmetros tecnologicos:

resistência da Dreno-fonte0,1 Ω
PolaridadeP
Tenso do ponto inicial0,4 V
tenso da Dreno-fonte (Vds)20 V
Corrente contínua do dreno (Ids)2.8A
PacoteSOT-23-3
Pacote mínimo3000
Padro de RoHSRoHS complacente
padro da ligaçoSem chumbo
número de pino6

 

 

China MOSFET NPN 	Microplaqueta SOT-23 SOT-23-3 LP2301BLT1G de IC do transistor supplier

MOSFET NPN Microplaqueta SOT-23 SOT-23-3 LP2301BLT1G de IC do transistor

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