2N7002 circuitos integrados do canal SMD 60V 115MA do Mosfet N

Number modelo:2N7002
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Capacidade da fonte:10000 PCes pelo mês
Prazo de entrega:dias 1-7Work
Detalhes de empacotamento:original
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MOSFET pequeno N-CH 60V 115MA dos transistor do efeito de campo do sinal dos circuitos integrados 2N7002

 

Produtos Descriço:

 

2N7002 transistor, MOSFET, N-canal, 115 miliampères, 60 V, 1,2 ohms, 10 V, 2,1 V

O 2N7002 é um transistor de efeito de campo do modo do realce do N-canal produzido usando a densidade de pilha alta e a tecnologia de DMOS. Minimizar a resistência do em-estado quando desempenho de comutaço áspero, seguro e rápido do fornecimento. Pode ser usado na maioria de aplicações que exigem até C.C. 400mA e pode entregar correntes pulsadas até 2A. Apropriado para as aplicações de baixa voltagem, baixo-atuais, tais como motoristas servo pequenos da porta do controlo do motor e do MOSFET do poder.

Projeto da pilha do alto densidade para extremamente - o baixo RDS (SOBRE).

Capacidade alta da corrente de saturaço.

Interruptor pequeno controlado do sinal da tenso.

Áspero e seguro

Este transistorsare do efeito de campo do modo do realce do N-canal produzido usando Fairchild proprietária, densidade de pilha alta, tecnologia de DMOS. Estes produtos foram projetados tominimize o quando da resistência do em-estado fornecem o desempenho de comutaço áspero, seguro, e rápido. Podem ser usados nos mostapplications que exigem até C.C. 400mA e podem deliverpulsed correntes até 2A. Estes produtos particularlysuited para a baixa tenso, baixas aplicações atuais tais como o controlo do motor do smallservo, motoristas da porta do MOSFET do poder, e aplicações otherswitching.

Parmetros tecnologicos:

 
Tenso avaliado (C.C.)60,0 V
Corrente avaliado115 miliampères
Poder avaliado200 mW
número de pino3
resistência da Dreno-fonte1,2 Ω
PolarN-canal
Poder dissipado200 mW
Tenso do ponto inicial2,1 V
tenso da Dreno-fonte (Vds)60 V
tenso de diviso da Porta-fonte±20.0 V

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2N7002 circuitos integrados do canal SMD 60V 115MA do Mosfet N

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