Avaliaço da tenso (C.C.) | 30,0 V |
Avaliaço atual | 21,0 A |
Número de canais | 1 |
Número de posições | 8 |
Drene resistência da fonte (sobre) (o RDS) | mΩ 3,6 |
Polaridade | N-canal |
Dissipaço de poder | 2,5 mW |
Tenso do ponto inicial | 1,4 V |
Capacidade entrada | 3,61 N-F |
Carga da porta | 65,0 nC |
Drene tenso da fonte (Vds) | 30 V |
Tenso de diviso (dreno fonte) | 30 V |
Tenso de diviso (porta fonte) | ±20.0 V |
Contínuo drene atual (os Ids) | 21,0 A |
Tempo de elevaço | 12 ns |
Aplicaço:
Aparelhos eletrodomésticos
O FDS6699S é um MOSFET do N-canal de SyncFET™ produziu usando o processo de PowerTrench®. É
projetado substituir um únicos MOSFET SO-8 e diodo de Schottky em
fontes de alimentaço C.C.--C.C. síncronos. Este MOSFET 30V é
projetado maximizar a eficiência de converso do poder, fornecendo
um baixo RDS (SOBRE) e a baixa carga da porta. Inclui um diodo
integrado de Schottky usando tecnologia monolítica s SyncFET™ de Fairchild de ".
Empresa Vantagens:
Eletrônica Co. de Shenzhen Ruizhixinda, LTD.
É uma empresa com décadas da experiência na agência por atacado de
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Nós temos o poder da cooperaço da agência e da fábrica de vários
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