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De NTTFS3A08PZTAG dos transistor dos FETs único P-CH 20V 9A 8WDFN P-canal dos MOSFETs
Descriço de produtos:
1. -20V, - 15A, 6,7 Mω, MOSFET do poder do P-canal
2. wdfn de superfície da montagem 840mW do P-canal 20V 9A (Ta) (Ta) 8 (3.3x3.3)
3. EP T/R do MOSFET P-CH 20V 22A 8-Pin WDFN do transporte
4. componentes -20V, - 15A, 6.7m, poder MOSFETMOS NTTFS3A08PZTAG do canal de P
Parmetros tecnologicos:
| Tipo do FET | P-canal |
| Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene tenso da fonte (Vdss) | 20 V |
| Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 6.7mOhm @ 12A, 4.5V |
| Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 1V @ 250µA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 56 nC @ 4,5 V |
| Vgs (máximo) | ±8V |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 5000 PF @ 10 V |
| Dissipaço de poder (máxima) | 840mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montando o tipo | Montagem de superfície |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Número baixo do produto | NTTFS3 |
Imagem do produto:
Controle de qualidade:
1. Cada processo de produço tem uma pessoa especial a testar para assegurar a qualidade
2. Tenha os coordenadores profissionais para verificar a qualidade
3. Todos os produtos passaram o CE, o FCC, o ROHS e as outras certificações