Paládio 1.3W do Mosfet SOT23-3 IRLML6401TRPBF do canal de IRLML6401 N
Number modelo:IRLML6401TRPBF
Quantidade de ordem mínima:discutível
Termos do pagamento:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte:10000 PCes pelo mês
Prazo de entrega:dias 1-7Work
Detalhes de empacotamento:original
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Fornecedor verificado
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
B615, construção de Niulanqian, avenida de Minzhi, distrito de Longhua, cidade de Shenzhen, província de Guangdong, China
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MOSFET NOVO E ORIGINAL SOT23-3 IRLML6401TRPBF do N-canal IRLML6401
Produtos Descriço:
MOSFET; Poder; P-Ch; VDSS -12V; RDS (SOBRE) 0.05Ohm; Identificaço -4.3A; Micro3; Paládio 1.3W; VGS +/-8V
MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin micro T/R do transporte
Transistor: P-MOSFET; unipolar; nível da lógica; -12V; -4.3A; 1.3W
Estes MOSFETs do P-canal do retificador internacional utilizam
técnicas advancedprocessing para conseguir extremamente - a baixa
em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com
a velocidade de comutaço rápida e o devicedesign ruggedized que os
MOSFETs do poder de HEXFET® so conhecidos para, fornece o
thedesigner um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o
uso na gesto do andload da bateria. Um grande leadframe
termicamente aumentado da almofada foi incorporado no pacote do
thestandard SOT-23 para produzir um MOSFET do poder de HEXFET com
pegada a menor dos theindustry. Este pacote, dublou o Micro3™, é
forapplications ideais onde imprimiu a placa que de circuito o
espaço está em um prêmio. O perfil baixo (<1>
Parmetros tecnologicos:
| Tenso do ponto inicial | 550 milivolt |
| capacidade da entrada | 830 PF |
| Poder avaliado | 1,3 W |
| polaridade | P-canal |
| Método da instalaço | Montagem de superfície |
| número de pino | 3 |
| pacote | SOT-23-3 |
| Temperatura de funcionamento | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| Empacotamento | Fita & carretel (TR) |
| Aplicações de fabricaço | Interruptores da C.C. |
Paládio 1.3W do Mosfet SOT23-3 IRLML6401TRPBF do canal de IRLML6401 N
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