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Circuitos de molibdênio para dispositivos de energia semicondutores
e dispositivos elétricos de vácuo
1Descriço dos círculos de molibdênio para dispositivos de vácuo e
semicondutores elétricos:
Mo Círculos Mo disco Mo disco
Dia. ((10-500 mm) x espessura ((0,1-35) mm
Densidade:10.2 g/cm3
Purificaço:99.95%.99.97%
Material: Mo1,TZM,Mo-La
Superfície: preta, CC, brilhante, polida
Padro: ASTMB 386
2. Conteúdo químico deCírculos de molibdênio para dispositivos de semicondutores e eléctricos a vácuo:
Nome do produto | Disco de molibdênio | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Resistência traço | 610 Mpa | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Extenso | ≥ 10% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Composiço do material | Mo1, TZM, Mo-La. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Purificaço | ≥ 99,95% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Temperatura de utilizaço | 1800°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Temperatura máxima | 2200°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Análise quantitativa | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Elementos | Bi | Ca | P | Pb | Al | No. | Sim | Mg | Fe | Cu | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Concentraço ((%) | 0.0006 | 0.0006 | 0.001 | 0.0006 | 0.003 | 0.0006 | 0.003 | 0.0006 | 0.001 | 0.0006 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Elementos | C | O | Sb | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Concentraço ((%) | 0.001 | 0.005 | 0.0006 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Purificaço (base metálica) Mo≥ 99,95% | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3. Etapas de produço deCircuitos de molibdênio para dispositivos de semicondutores e
eléctricos a vácuo:
Molybdenum billet (raw material)-inspection-hot rolling-leveling
and annealing-alkali washing-inspection-warm rolling-vacuum
annealing-inspection-cold rolling-leveling-shearing vacuum
annealing-inspection-packaging
4AplicaçodeCircuitos de molibdênio para dispositivos de semicondutores e
eléctricos a vácuo:
Após a laminaço com uma deformaço superior a 60%, a densidade do
círculo de molibdênio é basicamente próxima da densidade teórica do
molibdênio, pelo que tem uma elevada resistência,estrutura interna
uniforme e excelente resistência ao arrastamento a altas
temperaturas, por isso é amplamente utilizado na produço. tela
refletiva e placa de cobertura no forno de crescimento de cristais
de safira, tela refletiva, cinto de aquecimento, conector no forno
a vácuo,alvo de pulverizaço para revestimento por plasma, barcos
resistentes a altas temperaturas e outros produtos
Também círculo de molibdênio amplamente utilizado como material de
contato em diodos retificadores controlados por silício,
transistores e tiristores, montagem de dispositivos de
semicondutores de potência e materiais de base para disipadores de
calor,Dispositivos semicondutores de potência e dispositivos
elétricos de vácuo.