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Molibdênio que engasga alvos para a indústria do semicondutor
1. Descriço do molibdênio que engasga alvos para a indústria do semicondutor:
O molibdênio é um metal refratário versátil com qualidades mecnicas proeminentes, um baixo coeficiente de expanso, condutibilidade térmica forte, e condutibilidade elétrica excepcionalmente alta em altas temperaturas. Há as combinações numerosas que podem ser usadas como engasgar os alvos, incluindo alvos puros do molibdênio, alvos do titnio do molibdênio, alvos do tntalo do molibdênio, e alvos da liga do molibdênio (tais como a placa de TZM).
Os materiais usaram-se para semicondutores incluem alvos puros do metal tais como o tungstênio, o molibdênio, o nióbio, o titnio, e o silicone, adicionalmente s substncias como óxidos ou nitretos. To crucial como os parmetros de funcionamento do depósito que os coordenadores e os cientistas perfeitos durante todo o processo de revestimento so o procedimento de seleço material.
2. Tamanho do molibdênio que engasga alvos para a indústria do semicondutor:
Espessura: <20mm>
Dimetro: <300mm>
Superfície: Lustrado
Padro: ASTM B386
O outro tamanho pode ser processado de acordo com o desenho do cliente.
3. Índice químico do molibdênio que engasga alvos para a indústria do semicondutor:
Análise quantitativa | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Elemento | Ni | Magnésio | Fe | Pb | Al | Bi | Si | CD | Ca | P | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Concentraço (%) | 0,003 | 0,002 | 0,005 | 0,0001 | 0,002 | 0,0001 | 0,002 | 0,0001 | 0,002 | 0,001 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Elemento | C | O | N | Sb | Sn | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Concentraço (%) | 0,01 | 0,003 | 0,003 | 0,0005 | 0,0001 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Pureza (base metálica) Mo ≥99.95% | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Propriedades | Molibdênio puro | Molibdênio lubrificado | Liga de alta temperatura do molibdênio | ||
Coeficiente atômico | 42 | ||||
Peso atômico (m) | 95,95 | ||||
Constante da estrutura (a) | cubo centrado corpo | 3,14' 10-10 | |||
Densidade (r) | 10.2g/cm3 | ||||
Ponto de derretimento (t) | 2620±10℃ | ||||
Ponto de ebuliço (t) | 4800℃ | ||||
Coeficiente linear da expanso (a1) | 20℃ | 5,3' 10-6/K | 5,3' 10-6/K | 5,3' 10-6/K | |
20-1000℃ | 5,8' 10-6/K | 5,8' 10-6/K | 5,8' 10-6/K | ||
20-1500℃ | 6,5' 10-6/K | 6,5' 10-6/K | 6,5' 10-6/K | ||
Calor específico (u) | 20℃ | 0.25J/g·K | 0.25J/g·K | 0.25J/g·K | |
1000℃ | 0.31J/g·K | 0.31J/g·K | 0.31J/g·K | ||
2000℃ | 0.44J/g·K | 0.44J/g·K | 0.44J/g·K | ||
Condutibilidade térmica (l) | 20℃ | 142 W/m·K | 142 W/m·K | 126 W/m·K | |
1000℃ | 105 W/m·K | 105 W/m·K | 98 W/m·K | ||
1500℃ | 88 W/m·K | 88 W/m·K | 86 W/m·K | ||
Resistividade (r) | 20℃ | 0.052mWm | 0.065mWm | 0.055mWm | |
1000℃ | 0.27mWm | 0.28mWm | 0.31mWm | ||
1500℃ | 0.43mWm | 0.43mWm | 0.45mWm | ||
2000℃ | 0.60mWm | 0.63mWm | 0.66mWm | ||
Energia brilhante | 730℃ | 5500.0W/m2 | |||
1330℃ | 6300.0W/m2 | ||||
1730℃ | 19200.0W/m2 | ||||
2330℃ | 700000.0W/m2 | ||||
Seço transversal de absorço do nêutron térmico | 2,7' 10-28m2 | 2,7' 10-28m2 | 2,7' 10-28m2 | ||
Resistência traço (Sb) | placa de 0.10-8.00mm | 590~785MPa | 450~520MPa | 690~1130MPa | |
fio f0.80 | 1020MPa | 1570MPa | |||
Força de rendimento (S0.2) | placa de 0.10-8.00mm | 540~620MPa | 290~360MPa | 620~1000MPa | |
Alongamento (%) | placa de 0.10-8.00mm | 3~17 | 15~75 | 2~8 | |
fio f0.80 | 1,5 | 2 | |||
Módulo elástico (E) | 20℃ | 320GPa | 320GPa | 320GPa | |
1000℃ | 270GPa | 270GPa | 270GPa | ||
Dureza (HV10) | Placa da deformaço de <70% | 200~280 | 240~340 | ||
Placa da deformaço de >70% | 260~360 | 300~450 | |||
Placa Recrystallized | 140~160 | 170~190 | <200 | ||
temperatura de transiço Plástico-frágil (T) | -40~40℃ | ||||
Temperatura inicial do recrystallization (T) | a placa 1h de >90%Deformation recozeu | 900℃ | 1400℃ | 1250℃ | |
temperatura final do recrystallization (T) | Recozido por 1 | 1200℃ | 1700℃ | 1600℃ |
5. características do molibdênio que engasgam alvos para a indústria do semicondutor:
O revestimento engasgado adere s técnicas do que convencionais melhores do depósito da carcaça, e os materiais com temperaturas de derretimento muito altas, como o molibdênio e o tungstênio, so muito simples engasgar. Adicionalmente, visto que a evaporaço pode somente ser feita da parte inferior para cobrir, engasgar pode ser feito ambas as maneiras.
Engasgando os alvos so arredondados frequentemente ou retangulares, embora haja igualmente umas opções quadradas e triangulares disponíveis. A carcaça é o artigo que precisa de ser revestido, e pôde ser qualquer coisa das células solares aos componentes óticos s bolachas de semicondutor. O revestimento varia tipicamente na espessura dos ångströms aos mícrons. A membrana pode consistir em um único material ou em diversos materiais empilhado nas camadas.
A pureza alta, o alto densidade, a multa, e as propriedades consistentes da gro estam presente no molibdênio que engasga alvos, tendo por resultado a eficiência extremamente alta engasgar, a espessura de filme homogênea, e uma superfície de gravaço com água-forte limpa durante todo o processo engasgar.
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