UVA GaN-baseou a operação fotovoltaico UV do modo do sensor GS-AB-S do fotodiodo

Number modelo:GS-AB-S

Lugar de origem:China

Quantidade de ordem mínima:5

Termos do pagamento:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidade da fonte:1501/pcs/pre

Prazo de entrega:dias 3-5work

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ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

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Shenzhen Guangdong China

Endereço: Sala 3306AB 33o andar, SEG Plaza, Rua Norte de Huaqiang, distrito de Futian, província de Shenzhen Guangdong 518028

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Descriço do produto:

GS-AB-S GaN-baseou o fotodiodo UV

Características:

Fotodiodo largo da faixa UVA+UVB+UVC

Operaço fotovoltaico do modo

Alojamento de TO-46metal

Boa cegueira visível

Responsivity alto e baixa corrente escura

Monitoraço UV do índice, medida UV da dose de radiaço, detecço da chama

Especificaço

Parmetros	Símbolo	Valor	Unidade
Avaliações máximas
Variaço da temperatura da operaço	Topt	-25-85	OC
Variaço da temperatura do armazenamento	Tsto	-40-85	OC
Temperatura de solda (3 s)	Tsol	260	OC
Tenso reversa	Vr-máximo	-10	V
Características gerais (25 OC)
Tamanho da microplaqueta		1	mm2
Atual escuro (Vr = -1 V)	Identificaço	<1>	nA
Coeficiente de temperatura (@265 nanômetro)	Tc	0,05	% de OC
Capacidade (em 0 V e em 1 megahertz)	Cp	18	PF
Características de resposta espectral (25 OC)
Comprimento de onda do responsivity máximo	λ p	355	nanômetro
Responsivity máximo (em 355 nanômetro)	Rmax	0,20	A/W
Escala da resposta espectral (R=0.1×Rmax)	-	210-370	nanômetro
relaço de rejeço Uv-visível (Rmax/R400 nanômetro)	-	>104	-

Especificações:

Etiquetas de Produtos:

fotodiodo UV fotodiodo uv Fotodetector UV

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