Detector UV InGaN-baseado do sensor do fotodiodo que cura a medida GS-UVV-3535LCW da radiação
Number modelo:GS-UVV-3535LCW
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:5
Termos do pagamento:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte:1501/pcs/pre
Prazo de entrega:dias 3-5work
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Fornecedor verificado
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 3306AB 33o andar, SEG Plaza, Rua Norte de Huaqiang, distrito de Futian, província de Shenzhen Guangdong 518028
Fornecedor do último login vezes:
No 26 Horas
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Descriço do produto:
GS-UVV-3535LCW InGaN-baseou a cura UV da medida UV UV UV da dose de radiaço da monitoraço do diodo emissor de luz do fotodiodo
Características:
Características gerais:
l nitreto do gálio do índio a matéria-prima
l operaço fotovoltaico do modo
l pacote cermico de SMD 3535 com janela de quartzo
l responsivity alto e baixa corrente escura
Aplicações: Monitoraço UV do diodo emissor de luz, medida UV da dose de radiaço, cura UV
Avaliações máximas da unidade do valor do símbolo dos parmetros
Variaço da temperatura Topt -25-85 OC da operaço
Variaço da temperatura Tsto -40-85 OC do armazenamento
Temperatura de solda (3 s) Tsol 260 OC
Tenso reversa -10 V Vr-máximo
Atual mm2 escuro geral do tamanho A 1 da microplaqueta das características (25 OC) (Vr = V) identificaço -1 <1 nA="" Temperature="" coefficient="" Tc="" 0=""> <1 nA="" Temperature="" coefficient="" Tc="" 0="">
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Especificações:
| Comprimento de onda do responsivisity máximo | λ p 390 nanômetro |
| Responsivisity máximo (em 385 nanômetro) | Rmax 0,289 A/W |
| Escala da resposta espectral (R=0.1×Rmax) | 290-440 nanômetro |
| relaço de rejeço Uv-visível (Rmax/R450 nanômetro) | - >10 - |
Detector UV InGaN-baseado do sensor do fotodiodo que cura a medida GS-UVV-3535LCW da radiação
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