MOSFET discreto N-CH 600V 17A TO-220FP do semicondutor de STF24NM60N

Number modelo:STF24NM60N
Termos do pagamento:D/A, T/T, Western Union
Prazo de entrega:1-2 dias úteis
Detalhes de empacotamento:Fita e Carretel (TR)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss):600V
Dissipação de poder (máxima):30W (Tc)
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Shenzhen China
Endereço: 6909A SEG Plaza, No. 1002 Huaqiang North Street, Futian District, Shenzhen City, China
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Estado sem chumbo/estado de RoHS:Sem chumbo/RoHS complacente
Descriço detalhada:N-canal 600V 17A (Tc) 30W (Tc) através do furo TO-220FP
Nível da sensibilidade de umidade (MSL):1 (ilimitado)
Tipo do FET:N-canal
Série:MDmesh™ II
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C:17A (Tc)
Outros nomes:497-11868-5
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:1400pF @ 50V
Vgs (máximo):±30V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs:190 mOhm @ 8A, 10V
Tecnologia:MOSFET (óxido de metal)
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:46nC @ 10V
Temperatura de funcionamento:-55°C ~ 150°C (TJ)

Problema comum

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