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Estado sem chumbo/estado de RoHS: | Sem chumbo/RoHS complacente |
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Descriço detalhada: | FLASH - NEM paralela 110ns 56-TSOP de IC 512Mb da memória (64M x 8, 32M x 16) (14x20) |
Tenso - fonte: | 2,7 V ~ 3,6 V |
Tamanho de memória: | 512Mb (64M x 8, 32M x 16) |
Relaço da memória: | Paralelo |
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página: | 110ns |
Nível da sensibilidade de umidade (MSL): | 3 (168 horas) |
Número da peça baixa: | 28F512M29EW |
Outros nomes: | 557-1621 904393 904393-ND JS28F512M29EWH 904393 JS28F512M29EWHA-ND |
Formato da memória: | FLASH |
Tecnologia: | FLASH - NEM |
Temperatura de funcionamento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Destaques quentes das ofertas
Modelo do produto | Tipo |
GD32F103RCT6 | GD |
FAN3111ESX | EM |
ESDAXLC6-1BT2 | ST |
BTA16-600BWRG | ST |
STM32F756ZGT6 | ST |
STM32F765IIK6 | ST |
LIS2DE12TR | ST |
CYPD5225-96BZXIT | CYPRESS |
STM32WLE5CCU6 | ST |
STM8L051F3P6TR | ST |
Problema comum