Placa do circuito integrado do MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP do circuito integrado de SI3585CDV-T1-GE3 FPGA
Number modelo:SI3585CDV-T1-GE3
Termos do pagamento:D/A, T/T, Western Union
Prazo de entrega:1-2 dias do trabalho
Detalhes de empacotamento:Fita & carretel (TR)
Drene à tensão da fonte (Vdss):20V
Pacote/caso:SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6
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Shenzhen China
Endereço:
6909A SEG Plaza, No. 1002 Huaqiang North Street, Futian District, Shenzhen City, China
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| Estado sem chumbo/estado de RoHS: | Sem chumbo/RoHS complacente |
|---|---|
| Descriço detalhada: | Disposiço N do Mosfet e P-canal 20V 3.9A, 2.1A 1.4W, 1.3W montagem de superfície 6-TSOP |
| Característica do FET: | Porta do nível da lógica |
| Poder - máximo: | 1.4W, 1.3W |
| Nível da sensibilidade de umidade (MSL): | 1 (ilimitado) |
| Fabricante Standard Lead Time: | 32 semanas |
| Tipo do FET: | N e P-canal |
| Série: | TrenchFET® |
| Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C: | 3.9A, 2.1A |
| Outros nomes: | SI3585CDV-T1-GE3-ND SI3585CDV-T1-GE3TR |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: | 150pF @ 10V |
| RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs: | 58 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 4.8nC @ 10V |
| Temperatura de funcionamento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Destaques quentes das ofertas
| Modelo do produto | Tipo |
| TLV9152QDGKRQ1 | SI |
| ISO7831DWR | SI |
| TPS562207SDRLR | SI |
| TPS7B4253QPWPRQ1 | SI |
| TPS25940AQRVCRQ1 | SI |
| ISO7331FCQDWRQ1 | SI |
| TPS22992RXPR | SI |
| TPS62913RPUR | SI |
| MPX2200AP | |
| CCS811B-JOPD | AMS |
Problema comum
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alta qualidade.
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: Clique por favor “obtêm o melhor preço” e clicam-no ento “SUBMETEM-SE”. Citações do pedido.
Q: Inquérito/ordem SI3585CDV-T1-GE3, quanto tempo posso eu obter uma resposta?
: Após ter recebido a informaço, nós contactá-lo-emos pelo e-mail o mais cedo possível.
Q: Como pagar após ter pedido SI3585CDV-T1-GE3?
: Nós aceitamos T/T (fio de banco), Paypal, Unio ocidental
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